1、氧化鋅(ZnO)是一種自激活半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.37eV，室溫下的激子束縛能高達(dá)60meV，遠(yuǎn)大于ZnSe的22meV和GaN的25meV，也大于ZnO在室溫下的熱離化能(26meV)。這些特性使ZnO更易在室溫下實(shí)現(xiàn)高效率的激光發(fā)射，因此ZnO是制備短波長(zhǎng)發(fā)光器件的熱門候選材料。本文在概述納米材料特性、ZnO基本性質(zhì)、ZnO的紫外發(fā)光性能研究進(jìn)展、一維ZnO納米結(jié)構(gòu)制備方法的基礎(chǔ)上，研究了ZnO微納結(jié)構(gòu)在較低溫度、常壓條件下的生

2、長(zhǎng)，并測(cè)試分析了其光學(xué)和電學(xué)性能。 在常壓條件下，利用Zn、O原子的不對(duì)稱分布導(dǎo)致ZnO晶體具有極性生長(zhǎng)的特性，通過(guò)調(diào)節(jié)溶液濃度、pH值等工藝條件和加入不同高分子制備出了不同的ZnO微納結(jié)構(gòu)。采用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡進(jìn)行的形貌表征結(jié)果表明，制備的ZnO晶體結(jié)構(gòu)分別呈現(xiàn)納米線、微米棒、納米晶須以及納米顆粒等形貌。本文從溶液pH值、溶液濃度、生長(zhǎng)時(shí)間和高分子等方面考察了反應(yīng)條件對(duì)ZnO晶體生長(zhǎng)形態(tài)的影響；從化學(xué)反應(yīng)和極性生長(zhǎng)方面研究