1、ZnO作為一種重要的II～VI半導體材料，它在室溫下禁帶寬度為3.37e V，且具有較大的激子束縛能(60meV)。由于它在電學、光學、機械及聲學等方面卓越的性能，在納米材料領(lǐng)域掀起了一股研究熱潮。而且ZnO納米棒材料的性能比其體相材料更加優(yōu)異，一系列由ZnO納米棒材料構(gòu)造的新型光電子器件已經(jīng)被不斷研制和開發(fā)。
　　溶液體系中種子層法由于其低的成本、實驗設(shè)備簡單易操作及有利于大規(guī)模的樣品制備等特點，越來越受到人們的關(guān)注。所以我們就

2、采用這種簡單的方法在兩種不同的ZnO種子層上制備ZnO納米棒陣列，并使用 X射線衍射儀、場發(fā)射掃描電鏡以及PL光譜對所得產(chǎn)物進行形貌表征和發(fā)光性能的分析。結(jié)果表明ZnO納米棒陣列的取向性直接由ZnO種子層的取向性決定，ZnO納米棒的直徑和種子層、生長液濃度、生長時間都有關(guān)。種子層直徑越大，由它同質(zhì)外延生長的ZnO納米棒直徑就越大；生長液濃度過高或者過低都會導致ZnO納米棒陣列尺寸分布不均勻；隨著生長時間增長ZnO納米棒的(002)面逐漸