1、由于SmS具有半導(dǎo)體相一金屬相的可逆轉(zhuǎn)變特性，其可用于全息記錄、光學(xué)數(shù)字開(kāi)關(guān)和微壓敏元件等。引發(fā)SmS發(fā)生相變可通過(guò)加壓、熱處理、激光引發(fā)和表面摩擦等方法。 相比于濺射法、反應(yīng)性蒸鍍法、脈沖激光沉積法和MOCVD法等沉積方法，電化學(xué)法制備薄膜具有設(shè)備簡(jiǎn)單，成本較低，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單且容易控制等優(yōu)點(diǎn)。本課題探索了SmS粉體的是化學(xué)合成工藝，在此基礎(chǔ)上，提出了電化學(xué)沉積SmS薄膜的新思路，研究了SmS薄膜的合成工藝-結(jié)構(gòu)-性能的關(guān)系。

2、 以SmCl<,3>·6H<,2>O和硫代乙酰胺為主要原料采用化學(xué)沉淀法制備了比較純凈的SmS粉體，研究了n(S)：n(Sm)的摩爾比、pH值和熱處理溫度對(duì)粉體相組成的影響。結(jié)果表明：在n(S)：n(Sm)=10：1，pH=1.75，氨水濃度0.1mol/L，在Ar氣氣氛保護(hù)下550℃熱處理溫度時(shí)，可以制備出相對(duì)純凈的SmS粉體。 采用SmCl<,3>·6H<,2>O和Na<,2>S<,2>O<,3>·5H<,2>O為主要

3、原料探索了LSS法制備SmS粉體的工藝。結(jié)果表明：采用LSS法很難獲得單一物相的SmS粉體，粉體中易形成Sm<,2>S<,3>、Sm(N<,2>H<,4>)<,6>(ClO<,4>)<,3>等雜質(zhì)。 以SmCl<,3>·6H<,2>O和Na<,2>S<,2>O<,3>3·5H<,2>O為主要原料采用電化學(xué)沉積法分別在單晶硅片(100)和ITO導(dǎo)電玻璃上沉積了SmS薄膜。系統(tǒng)地研究了n(Sm)：n(S)、溶液的pH值、熱處理溫度、

4、沉積電流、電壓等工藝因素對(duì)于薄膜的物相、顯微結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響。結(jié)果表明n(Sm)：n(S)、溶液的pH值、熱處理溫度、沉積電流、電壓等工藝因素對(duì)薄膜的相組成具有十分明顯的影響，隨著n(Sm)：n(S)和pH值的減小，薄膜中的雜質(zhì)相越多。熱處理溫度越高，薄膜的結(jié)晶程度越好。并采用：XRD、AFM和SEM對(duì)薄膜進(jìn)行了表征。結(jié)果表明：采用Si(100)為基板時(shí)，在n(Sm)：n(S)=1：4，控制溶液pH值為4.50以及沉積1h的條件下，

5、可制備出約70nm厚單一晶相且表面比較平整的SmS薄膜，薄膜具有(331)方向的取向性。采用ITO導(dǎo)電玻璃為基板時(shí)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)n(S)：n(Sm)=4：1，pH=3，沉積電流為3mA，熱處理溫度為200℃時(shí)制備的薄膜為單一SmS相的薄膜；通過(guò)紫外分光光度計(jì)測(cè)定了其光學(xué)性質(zhì)，紫外光譜測(cè)試表明所制備的SmS薄膜具有290-300nm的紫外吸收特性，薄膜的禁帶寬度約為3.46eV。 和恒電流沉積相比，恒壓沉積工藝更容易獲得結(jié)晶程度好的薄膜