1、本論文的資助來源為：國家“973”重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(批準(zhǔn)號：2003CB314901)、國家“863”高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(批準(zhǔn)號：2003AA311070)和集成光電子學(xué)國家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室開放課題。 半導(dǎo)體自組織生長量子點(diǎn)是一種新型半導(dǎo)體材料，它在納米電子學(xué)、光電子學(xué)和生命科學(xué)中有廣泛的應(yīng)用前景，本論文緊密圍繞光電子材料和器件相關(guān)的理論和技術(shù)展開，重點(diǎn)研究了半導(dǎo)體量子點(diǎn)系統(tǒng)中的應(yīng)力應(yīng)變的解析計(jì)算，以及運(yùn)用動力學(xué)蒙特卡羅方法，

2、模擬量子點(diǎn)的動態(tài)生長過程。 首先，運(yùn)用解析方法對量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，通過對積分核函數(shù)進(jìn)行計(jì)算，可以得到各種量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的應(yīng)力應(yīng)變分布。具體分析了常見的金字塔形和圓錐形等結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，并且與有限元方法計(jì)算得到的結(jié)果進(jìn)行了比較。結(jié)果表明，這種方法能夠更加普遍地得到量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)的應(yīng)力應(yīng)變分布，提高了計(jì)算速度，可以方便地應(yīng)用于量子點(diǎn)的電子能級計(jì)算。 其次，利用計(jì)算機(jī)模擬了量子點(diǎn)的動態(tài)生長，通過建立動力學(xué)蒙特卡羅方法在均勻襯底和非