1、CMOS MEMS是傳感器發(fā)展的一大趨勢(shì)，它將MEMS器件和接口電路集成在一塊芯片上。利用CMOS標(biāo)準(zhǔn)流程+MEMS后處理工藝制造的微型傳感器能夠?qū)崿F(xiàn)低成本、高性能、高度一致性和大規(guī)模生產(chǎn)，這也是MEMS傳感器相對(duì)于傳統(tǒng)傳感器的顯著優(yōu)勢(shì)。 體硅正面釋放技術(shù)簡(jiǎn)化了工藝流程和操作難度，容易形成工藝標(biāo)準(zhǔn)，并且相對(duì)與背面釋放技術(shù)，腐蝕時(shí)間大大縮短，因此越來(lái)越受到研究者的重視。 本課題的目標(biāo)是建立與CMOS工藝兼容的體硅正面釋放M

2、EMS后處理技術(shù)，主要是實(shí)現(xiàn)濕法腐蝕中芯片正面的結(jié)構(gòu)保護(hù)，并利用PN結(jié)自停止腐蝕釋放N阱。 利用摻硅的TMAH溶液對(duì)鋁的腐蝕速率慢并且與CMOS工藝兼容的特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)用鋁做腐蝕掩膜的CMOS結(jié)構(gòu)的保護(hù)。本文研究了用于釋放鋁保護(hù)芯片的摻硅TMAH溶液相關(guān)特性，主要包括：TMAH溶液濃度、摻入硅粉的比例、摻入過(guò)硫酸銨的影響、硅片的腐蝕形貌、腐蝕硅片的速率、長(zhǎng)時(shí)間腐蝕時(shí)鋁保護(hù)膜的情況等，結(jié)合各方面因素最終確定既能很快腐蝕硅又能實(shí)現(xiàn)鋁

3、保護(hù)并且便于實(shí)現(xiàn)電鈍化腐蝕的溶液配比。在此基礎(chǔ)上分析了影響電鈍化腐蝕特性的各種因素，對(duì)已確定的腐蝕溶液進(jìn)行深入研究，測(cè)量了不同類(lèi)型的硅片在其中的I-V特性。設(shè)計(jì)了體硅正面釋放實(shí)驗(yàn)，在版圖中加入常用的各種MEMS結(jié)構(gòu)，利用正面保護(hù)+PN結(jié)自停止腐蝕技術(shù)在鋁保護(hù)層完好的情況下成功釋放出了結(jié)構(gòu)。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明CMOS兼容的體硅正面釋放技術(shù)完全可行，可以做進(jìn)一步研究將其應(yīng)用于后處理工藝中，為以后利用此技術(shù)制作各類(lèi)傳感器奠定了良好的基礎(chǔ)。