1、單片集成是傳感器發(fā)展的未來(lái)趨勢(shì)，它將MEMS器件和接口電路、處理電路集成在一塊芯片上。CMOS后處理工藝釋放制作的微型傳感器能夠?qū)崿F(xiàn)低成本、高性能、高度一致性和大規(guī)模生產(chǎn)，這也是MEMS傳感器相對(duì)于傳統(tǒng)傳感器的顯著優(yōu)勢(shì)。
　　 從正面釋放體硅結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了工藝流程、降低了操作難度，容易形成工藝標(biāo)準(zhǔn)，并且相對(duì)于背面釋放技術(shù)，腐蝕時(shí)間大大縮短，因此越來(lái)越受到研究者的重視。
　　 本課題的目標(biāo)是建立與CMOS工藝兼容的體硅正面釋

2、放技術(shù)，主要是實(shí)現(xiàn)濕法腐蝕中芯片正面的結(jié)構(gòu)保護(hù)，并利用PN結(jié)自停止腐蝕來(lái)釋放N阱結(jié)構(gòu)。
　　 利用摻硅的TMAH溶液對(duì)鋁的腐蝕速率慢并且與CMOS工藝兼容的特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)用鋁做腐蝕掩膜的CMOS結(jié)構(gòu)的保護(hù)。本文研究了摻硅TMAH溶液的相關(guān)特性，確定溶液配比為“5wt.％TMAH+1.8wt.％Si”，其腐蝕硅較快，且?guī)缀醪桓g鋁和氧化層。在此基礎(chǔ)上分析了影響電鈍化腐蝕特性的各種因素，測(cè)量了不同類(lèi)型的硅片在改進(jìn)TMAH溶液中的I-

3、V特性，其中P型硅片的開(kāi)路電勢(shì)為-1.33V，N型硅片的鈍化勢(shì)為-0.93V。
　　 本文設(shè)計(jì)了體硅正面釋放實(shí)驗(yàn)，在版圖中加入常用的各種MEMS結(jié)構(gòu)，在鋁保護(hù)層完好的情況下，分別采用三電極系統(tǒng)及四電極系統(tǒng)成功釋放出了結(jié)構(gòu)；并設(shè)計(jì)了多晶硅保護(hù)實(shí)驗(yàn)，50％以上多晶硅保護(hù)良好，結(jié)構(gòu)也基本釋放。
　　 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明與CMOS工藝兼容的體硅正面釋放技術(shù)完全可行，為以后利用此技術(shù)制作各類(lèi)傳感器奠定了一定的基礎(chǔ)，應(yīng)該做進(jìn)一步的研究將其