1、近年來，Ⅱ-Ⅵ半導體納米材料制備和性質的研究引起了人們極大的興趣.因量子限域效應，使它們具有優(yōu)良可控的光學特性及光電子特性，被廣泛應用于光電子器件和生物標注方面及光化學領域.其可控合成研究在水相和氣相合成方法上進了很多嘗試，制備出不同形貌和尺寸的納米晶，如量子棒、線、火柴棒和多足結構等，有著各向異性光電效應如光偏振散射特性，量子激發(fā)特性等，使它們能夠做為原始組裝單元來構建高級復雜納米器件及設備.然而在合成制備過程中，采用高溫熱解法合成半

2、導體納米晶過程中，不可避免的高溫、無水無氧和有毒有機溶劑參與等極端條件使得實驗步驟復雜且對環(huán)境造成污染，這使得金屬或半導體納米晶的合成成本加大和對環(huán)境不友好在我們的研究工作中，我們采用在良性條件下(低溫，低壓，中性PH)以生物有機質做礦化模板的生物礦化方法，制備了一維Ⅱ-Ⅵ半導體納米材料。此方法很好的避免了傳統(tǒng)有機合成中的高溫、無水無氧和有毒有機溶劑參與等極端條件，且實驗過程簡單易控，對環(huán)境友好. 本文的主要工作和取得的主要成果

3、如下： 1.利用牛血清蛋白在水溶液中制備了CdS一維納米棒和納米線，納米棒和納米線的形貌均一，單分散性好，我們在反應溫度為20℃，利用BSA的二級結構α螺旋鏈做模板誘導合成CdS納米棒，長度為250nm，直徑為30nm；在反應溫度50℃時，利用BSA的二級結構無規(guī)則線絲狀體合成網(wǎng)狀CdS納米線，其長度約2～3umCdS納米棒和網(wǎng)狀納米線均為立方相閃鋅礦結構.熒光性質的測試表明：位于550nm處的主熒光峰與425nm處的本征熒光峰

4、相比，明顯紅移，熒光強度明顯增強.這種優(yōu)良的熒光性能能使其在量子熒光及生物學標記等領域具有新的應用前景CdS網(wǎng)狀納米線具有優(yōu)良的I-V電導特性及敏感的紫外光響應。其在暗態(tài)下，金屬探針和半導體之間形成肖特基勢壘；在紫外光照射下，CdS納米線有明顯的響應，表現(xiàn)為準歐姆特征。I-V測試結果表明：這種材料對光有很強的敏感性，在光敏器件中可能有一定的應用價值對納米棒和納米線的生長機理做了較為具體的探討和解釋。 2.利用牛血清蛋白在水溶液中

5、制備了ZnS納米棒和納米線及樹枝狀結構，納米棒和納米線的形貌均一。我們在反應溫度為20℃，利用BSA的二級結構α螺旋鏈做模板誘導合成單分散性好的ZnS納米棒，長度為250nm，直徑為30nm；在反應溫度為50℃時，利用BSA的二級結構無規(guī)則線絲狀體合成網(wǎng)狀ZnS納米線，其長度約為幾個微米.我們在反應溫度為20℃、較低濃度BSA條件下，利用BSA分子結構中含有-OH、-NH、-SH等極性官能團做誘導吸附劑，制備了樹枝狀ZnS樹枝晶，主枝及