1、近年來，寬禁帶半導體材料GaN在短波長發(fā)光器件、光探測器件以及抗輻射、高頻和大功率電子器件方面的廣闊應用前景而備受關(guān)注，生長出高質(zhì)量的GaN材料是研究開發(fā)GaN基器件的基本前提條件。目前氮化鎵基器件大多數(shù)制作在藍寶石上。然而，由于藍寶石襯底自身絕緣且硬度大、器件工藝復雜、制作成本費用高，且由于它導熱性能差，不利于大功率器件的制作，硅襯底則可以彌補這些不足。因此，開展Si基上的GaN薄膜材料的外延生長意義重大。 本論文在系統(tǒng)總結(jié)了

2、國內(nèi)外GaN材料制備與器件工藝的研究歷史、現(xiàn)狀基礎(chǔ)上，利用自行設(shè)計并制造的MOCVD系統(tǒng)，對硅基GaN的外延生長和特性進行了研究，同時也用催化法制備了GaN納米棒，并對其生長機理進行了探討。通過多種測試手段和理論分析，取得了一些階段性成果： 1.分別采用低溫、高溫AlN緩沖層生長GaN薄膜。研究了高低溫緩沖層、緩沖層的厚度，Ⅴ/Ⅲ以及載氣的成份對GaN薄膜質(zhì)量的的影響，采用170nm厚度的高溫AlN作為緩沖層制得了結(jié)晶質(zhì)量很好的