1、稀磁半導體由于能將磁性自由度引入傳統(tǒng)的半導體而受到廣泛的關注，它將半導體的輸運/光學性質和磁性質結合在一起，有可能開發(fā)出全新的電子器件。盡管人們對過渡金屬摻雜的ZnO薄膜材料進行了大量的研究，但結果不一，這是因為材料的性質極大地依賴于薄膜的生長條件，這些都激勵著我們對塊材樣品的磁性質進行研究。本論文使用納米材料制備方法——共沉淀法制備了Fe摻雜的ZnO材料，研究了深能級雜質Cu/Sn離子的引入對Zn-Fe-O樣品的磁性質的影響，并對磁性

2、的起因作了初步的探索。主要研究內容包括以下幾個方面：
　　 1.對稀磁半導體的結構、相互作用以及磁性質作了全面的概括，對ZnO稀磁半導體材料的研究進展作了一個簡短的回顧，在此基礎上提出了本論文的選題依據和研究意義；
　　 2. 簡要介紹了幾種制備納米材料的化學方法，選擇共沉淀法制備了Fe摻雜的ZnO多晶樣品，對其結構和磁性質作了相關的分析；
　　 3. 從實驗上研究了Cu離子的引入對Zn-Fe-O系統(tǒng)的結構和磁性

3、質的影響，分析了摻雜濃度和燒結溫度對樣品的磁性質的影響；
　　 4. 從實驗上研究了Sn離子的引入對Zn-Fe-O系統(tǒng)的結構和磁性質的影響，分析了摻雜濃度和燒結溫度對樣品的磁性質的影響；
　　 5. 比較了Zn-Fe-O，Zn-Fe-Cu-O以及Zn-Fe-Sn-O系統(tǒng)的磁性質，對樣品的磁性起因進行了初步探索。
　　 總之，我們以具有室溫鐵磁性的Zn-Fe-O稀磁半導體材料為基體，試圖引入Sn/Cu離子來調節(jié)樣品