1、稀磁半導體材料兼具磁性和半導體特性，在自旋電子器件有著廣泛的應用前景。本論文在介紹Ⅲ-Ⅴ族稀磁半導體之后，分別介紹了“111”、“122”、“1111”、“32522”、“42622”等新型稀磁半導體材料。與傳統(tǒng)的Ⅲ-Ⅴ族(Ga, Mn)As薄膜材料相比，這些新型稀磁半導體材料均實現(xiàn)了電荷與自旋的分離注入機制，為研究稀磁半導體材料提供了新的方向。同時這些材料能夠方便的制備塊狀材料，使我們能夠利用中子散射，核磁共振，μ SR等磁性測量手段

2、對材料的微觀磁性進行研究。
　　我們通過在LaZnAsO的Zn位同時摻雜Mn和Cu成功制備了“1111”型塊狀稀磁半導體材料La(Zn1-2xMnxCux)AsO。在對材料進行磁性表征時發(fā)現(xiàn)，只通過(Zn2+，Mn2+)替代引入局域磁矩無法形成磁有序，只有同時經(jīng)過(Zn+，Cu1+)不等價替代引入空穴型載流子，才能產(chǎn)生磁有序相。我們發(fā)現(xiàn)在外磁場100Oe下，樣品的飽和磁矩在0.01μ B/Mn量級，我們認為該磁有序相沒有形成鐵磁長