1、本論文全面的介紹了納米級摻銻導電粉體ATO的發(fā)展概況、導電機理以及常見的制備工藝.ATO(摻銻二氧化錫)超細導電粉體具有良好的導電性、淺色透明性等優(yōu)點,是目前抗靜電材料中的研究熱點,有廣闊的市場應用前景.本實驗以SnCh.5H20和SbCl3為主要原料,采用化學共沉淀法制得了納米級的高導電性能的ATO超細粉體.運用熱重-差熱(TG-DTA)、X-射線衍射(XRD)、透射電鏡(TEM)等測試方法對ATO粉體進行表征.研究了制備工藝(如銻摻

2、雜量、反應溫度、反應pn值、熱處理等)對ATO粉體粒徑和導電性能的影響,并探討其影響機理,得到最佳工藝參數.另外對于納米粉體來說,團聚一直是比較難以克服的困難,也是現在制約其生產化的一個難題,本文還討論了超聲分散、洗滌次數和加料方式對粉體粒度和電阻的影響,得到了最佳工藝參數.同時還將試驗產品與國內市場的同類產品性能進行了對比,結論是本實驗制得的ATO超細粉體的導電性優(yōu)于國內同類產品.ATO超細粉體的粒徑小于國內同類產品,粒徑只在10nm