1、氧化鋅(ZnO)是一種寬禁帶Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的物性，ZnO材料在光電、壓電、氣敏、壓敏等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用使人們對各種．ZnO材料的制備生長和性能研究保持著濃厚的興趣。隨著寬帶隙半導(dǎo)體物理的發(fā)展，以及人們對亞微米納米結(jié)構(gòu)認識的不斷深入和納米科學(xué)技術(shù)的帶來的材料性能的奇特變化，使一維ZnO材料的制備及其相關(guān)研究逐漸成為一個新的方向。 本論文以不同的生長方法制備了不同形貌和尺寸的納米氧化鋅，

2、并分析了相應(yīng)樣品的場發(fā)射、p-n異質(zhì)結(jié)和氣敏特性，主要內(nèi)容如下： 分別用兩種反應(yīng)源制備了ZnO納米線陣列和四針狀ZnO納米晶須，對其形貌和結(jié)構(gòu)進行了表征，并分析了它們的生長機理。用ZnO粉術(shù)和石墨粉末作為反應(yīng)源制備的ZnO納米線的形貌為基本垂直基板生長的納米線陣列，XRD測試表明納米線為晶體，在C軸方向上有擇優(yōu)生長取向；用Zn粒為反應(yīng)源制備的ZnO納米線呈四針狀，每個顆粒各有1個中心體，從中心體長出4根針狀的晶體，并向4個不同方

3、向伸展，每兩個相鄰針狀體間的夾角約為109°。 對ZnO納米線陣列的場發(fā)射性能進行了測試，結(jié)果表明ZnO納米線開啟電壓較低，為4 V/μm，發(fā)射電流和所加電壓的關(guān)系，符合F-N理論。場發(fā)射性能良好，很可能成為平板顯示器中的陰極材料。 對p<'+>-Si和n-ZnO納米線構(gòu)成的p-n異質(zhì)結(jié)進行了特性測試，其特性良好，正向開啟電壓為0.5V，反向漏電流較大，在偏壓為-1 V時達到了0.02 mA，有望為今后制備高靈敏度紫外光

4、探測器和其他光電器件提供很好的模型。 分別測試了用兩種方法制得的納米線的氣敏性質(zhì)。用單根狀的ZnO納米線制得的氣敏元件，對1000ppm濃度的酒精，在250℃左右靈敏度達到最高，約為3.75；加了TiO<,2>粉末后制成的氣敏元件對酒精的靈敏度有了顯著提高，從3.75提高到16。用四針狀ZnO納米晶須壓片制得的氣敏元件工作溫度低，對酒精的靈敏度高，對1000ppm濃度的酒精，在工作溫度為160℃時，靈敏度就達到了30，足以滿足應(yīng)