1、光譜增感是光信息記錄與存儲的關(guān)鍵技術(shù)，深入研究光敏材料光譜增感的微觀機理，對光譜增感理論及應(yīng)用具有重要意義和價值。本文以光譜增感立方體鹵化銀微晶為研究對象，應(yīng)用本實驗室自行研制的微波吸收介電譜檢測裝置和研究建立的光電子衰減模型，開展了光譜增感鹵化銀光電子衰減的動力學(xué)研究。
　　 選用僅對結(jié)構(gòu)特性產(chǎn)生影響的355nm波長的激光激發(fā)樣品，測量其光電子衰減時間分辨譜。首次發(fā)現(xiàn)了染料吸附對氯化銀中光電子衰減有兩種作用，不但能加速光電子的

2、衰減，而且能使光電子衰減變慢。結(jié)合吸收光譜分析得知：氯化銀吸附染料單體時，光電子壽命變長；氯化銀吸附染料J-聚集體時，光電子壽命變短；并得到了一定實驗條件下染料對鹵化銀兩種作用轉(zhuǎn)換的臨界增感濃度。
　　 選用僅被染料吸收的波長為532nm的激光激發(fā)樣品，測量其光電子時間分辨譜，得到了不同增感條件下吸附增感、減感染料鹵化銀中光電子壽命變化規(guī)律，比較355nm和532nm激發(fā)增感氯化銀時光電子衰減結(jié)果，實驗上證實了光譜增感的光電子轉(zhuǎn)

3、移理論；實驗發(fā)現(xiàn)：增感染料J-聚集體顯著提高鹵化銀中光電子強度；對比光電子強度的測量結(jié)果得知：染料J-聚集體是增強光電子強度提高光電子轉(zhuǎn)移效率的關(guān)鍵。
　　 為進一步理解和解釋鹵化銀中光電子衰減行為，在系統(tǒng)地分析各種因素對光電子衰減影響的基礎(chǔ)上，結(jié)合體表比對光電子衰減的研究結(jié)果：影響光電子衰減的深電子陷阱分為表面和內(nèi)部兩種，建立了鹵化銀光電子衰減動力學(xué)的一般模型。給出了光電子衰減動力學(xué)方程，和鹵化銀基本參數(shù)的確定方法。