1、ADissertationSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterinEngineeringStudyonAFractionalorderMemristorModelandItsApplicationMasterCandidate：Major：Supervisor：WuYuxinCircuitandSystemProfGanZhaohuiWuha

2、nUniversityofScienceandTechnologyWuhan，Hubei430081，PRChinaMay2016摘要分?jǐn)?shù)階憶阻器是將憶阻器與分?jǐn)?shù)階微積分理論進(jìn)行結(jié)合而得到的一種新的概念，近年來已經(jīng)有科研人員證實(shí)了分?jǐn)?shù)階憶阻器模型的存在，并分析了分?jǐn)?shù)階憶阻器模型在不同類型激勵(lì)信號(hào)下的響應(yīng)特性。分?jǐn)?shù)階憶阻器模型不僅更加精確，而且能使模型的自由度更高，因而具有較大的研究和應(yīng)用意義。本文提出了一種新型的帶有非線性漂移函數(shù)的憶阻

3、器模型，通過數(shù)學(xué)仿真和電路仿真證實(shí)了該模型的正確性，并證明了該模型能夠在不改變激勵(lì)信號(hào)的前提下調(diào)整憶阻器的記憶效應(yīng)。同時(shí)，本文也提出了一種新型的帶有非線性漂移函數(shù)的分?jǐn)?shù)階憶阻器模型，數(shù)學(xué)仿真和電路仿真發(fā)現(xiàn)該模型能夠較好地模擬分?jǐn)?shù)階憶阻器的特性，同時(shí)也分析了分?jǐn)?shù)階階次和漂移函數(shù)參數(shù)對(duì)憶阻器特性的影響。此外，本文也提出了一類簡單的關(guān)于分?jǐn)?shù)階憶阻器模型的應(yīng)用。在分析了分?jǐn)?shù)階憶阻器與分?jǐn)?shù)階憶容器和分?jǐn)?shù)階憶感器之間互相轉(zhuǎn)換的條件的基礎(chǔ)上，使用線性