1、<p>　　實(shí) 習(xí) 報(bào) 告</p><p><b>　　實(shí)習(xí)目的</b></p><p>　　掌握?qǐng)D像傳感器的相關(guān)知識(shí)并選擇圖像傳感器。</p><p>　　掌握基于DM6446的音視頻開(kāi)發(fā)板原理，包括硬件電路、軟件流程、各種資源和開(kāi)發(fā)環(huán)境等。</p><p>　　為本次畢業(yè)設(shè)計(jì)奠定相關(guān)實(shí)踐基礎(chǔ)。<

2、/p><p><b>　　實(shí)習(xí)內(nèi)容</b></p><p>　　掌握?qǐng)D像傳感器的相關(guān)知識(shí)并選擇圖像傳感器</p><p>　　國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 7665-2005對(duì)傳感器的定義是；能感受被測(cè)量并按一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的器件或裝置，通常由敏感元件和轉(zhuǎn)換元件組成。敏感元件，指?jìng)鞲衅髦心苤苯痈惺芑蝽憫?yīng)被測(cè)量的部分；轉(zhuǎn)換元件，指?jìng)鞲衅髦心軐⒚舾性?/p>

3、感受或響應(yīng)的被測(cè)量轉(zhuǎn)換成適于傳輸或測(cè)量的電信號(hào)部分。</p><p>　　常見(jiàn)的圖像傳感器可以分為CCD和CMOS兩種，下面分別對(duì)其進(jìn)行介紹</p><p>　　CCD(Charge Coupled Devices) 又稱(chēng)為電荷耦合器件，是20世紀(jì)70年代初開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的新型半導(dǎo)體器件。從CCD概念提出到商品化的電荷耦合攝像機(jī)出現(xiàn)僅僅經(jīng)歷了四年。其所以發(fā)展迅速，主要原因是它的應(yīng)用范圍相當(dāng)廣

4、泛。它在數(shù)字信息存貯、模擬信號(hào)處理以及作為圖像傳感器等方面都有十分廣泛的應(yīng)用。</p><p><b>　　CCD工作原理</b></p><p>　　CCD的突出特點(diǎn)在于它以電荷作為信號(hào)。CCD的基本功能是電荷的存貯和電荷的轉(zhuǎn)移。因此，CCD的基本工作原理應(yīng)是信號(hào)電荷的產(chǎn)生、存貯、傳輸和檢測(cè)。CCD有兩種基本類(lèi)型，一種是電荷包存貯在半導(dǎo)體與絕緣體之間的界面，并沿界面

5、傳輸，這種器件稱(chēng)為表面溝道CCD(簡(jiǎn)稱(chēng)為SCCD)；另一種是電荷包存貯在離半導(dǎo)體表面一定深度的體內(nèi)，并在半導(dǎo)體體內(nèi)沿一定方向傳輸，這種器件稱(chēng)為體溝道或埋溝道器件(BCCD)。下面以SCCD為主討論CCD的基本工作原理。</p><p><b>　　電荷存貯</b></p><p>　　圖1(a)為金屬一氧化物一半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)圖。在柵極未施加偏壓時(shí)P型半導(dǎo)體中將有

6、均勻的空穴(多數(shù)載流子)分布。如果在柵極上加正電壓，空穴被推向遠(yuǎn)離柵極的一邊。在絕緣體SiOz和半導(dǎo)體的界面附近形成一個(gè)缺乏空穴電荷的耗盡區(qū)，如圖l(b)。隨著柵極上外加電壓的提高，耗盡區(qū)將進(jìn)一步向半導(dǎo)體內(nèi)擴(kuò)散。絕緣體Si02和半導(dǎo)體界面上的電勢(shì)(為表面勢(shì))隨之提高，以致于將耗盡區(qū)中的電子(少數(shù)載流子)吸引到表面，形成一層極薄而電荷濃度很高的反型層，如圖l(c)所示。反型層形成時(shí)的外加電壓稱(chēng)為閾值電壓。</p><p

7、>　　反型層的出現(xiàn)說(shuō)明了柵壓達(dá)到閾值時(shí)，在Si02和P型半導(dǎo)體之間建立了導(dǎo)電溝道。因?yàn)榉葱蛯与姾墒秦?fù)的，故常稱(chēng)為N型溝道CCD。如果把MOS電容的襯底材料由P型換成N型，偏置電壓也反號(hào)，則反型層電荷由空穴組成，即為P型溝道CCD。實(shí)際上因?yàn)椴牧现腥狈ι贁?shù)載流子，當(dāng)外加?xùn)艍撼^(guò)閾值時(shí)反型層不能立即形成；所以在這短暫時(shí)間內(nèi)耗盡區(qū)就更向半導(dǎo)體內(nèi)延伸，呈深度耗盡狀態(tài)。深度耗盡狀態(tài)是CCD的工作狀態(tài)。這時(shí)MOS電容具有存貯電荷的能力。同時(shí)，

8、柵極和襯底之間的絕大部分電壓降落在耗盡區(qū)。如果隨后可以獲得少數(shù)載流子，那么耗盡區(qū)將收縮，界面勢(shì)下降，氧化層上的電壓降增加。當(dāng)提供足夠的少數(shù)載流子時(shí)，就建立起新的平衡狀態(tài)，界面勢(shì)降低到材料費(fèi)密能級(jí)6F的兩倍。對(duì)于摻雜為10的15次方／cm3的P型硅半導(dǎo)體，其費(fèi)密能級(jí)為0．3eV。這時(shí)耗盡區(qū)的壓降為0．6eV，其余電壓降在氧化層上。圖2為實(shí)際測(cè)得的表面勢(shì)6s與外加?xùn)艍旱年P(guān)系，此時(shí)反型層電荷為零。圖3為出現(xiàn)反型層電荷時(shí)，表面勢(shì)久與反型層電荷密

9、度的關(guān)系?？梢钥闯鏊鼈兪浅删€(xiàn)性關(guān)系的。根據(jù)上述MOS電容的工作原理，可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的液體模型去比擬電荷存貯機(jī)構(gòu)。這樣比擬后，對(duì)CCD</p><p><b>　　電荷耦合</b></p><p>　　為了理解在CCD中勢(shì)阱及電荷如何從一個(gè)位置移到另一個(gè)位置，我們觀察如圖5所示的結(jié)構(gòu)。取CCD中四個(gè)彼此靠得很近的電極來(lái)觀察，假定開(kāi)始時(shí)有一些電荷存貯在偏壓為10V的第二個(gè)

10、電極下面的深勢(shì)阱里，其他電極上均加有大于閾值的電壓(例如2V)。設(shè)圖5(b)為零時(shí)刻(初始時(shí)刻)，假設(shè)過(guò)ti時(shí)刻后，各電極上的電壓變?yōu)槿鐖D(b)所示，第二個(gè)電極仍保持為10V，第三個(gè)電極上的電壓由2V變?yōu)?0V。因這兩個(gè)電極靠得很緊，它們各自的對(duì)應(yīng)勢(shì)阱將合并在一起，原來(lái)在第二個(gè)電極下的電荷變?yōu)檫@兩個(gè)電極下勢(shì)阱所共有，如圖(c)所示。若此后電極上的電壓變?yōu)閳D(d)所示，第二個(gè)電極電壓由10V變?yōu)?V，第三個(gè)電極電壓仍為10V，則共有的電荷

11、將轉(zhuǎn)移到第三個(gè)電極下面的勢(shì)阱中，如圖(e)所示?？梢?jiàn)，深勢(shì)阱及電荷包向右移動(dòng)了一個(gè)位置。</p><p>　　通過(guò)將一定規(guī)則變化的電壓加到CCD各電極上，電極下的電荷包就能沿半導(dǎo)體表面按一定的方向移動(dòng)。通常把CCD電極分為幾組，每一組稱(chēng)為一相，并施加同樣的時(shí)鐘。CCD的內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定了使其正常工作所需的相數(shù)。圖5所示的結(jié)構(gòu)需要三相時(shí)鐘脈沖，其波形如圖(f)所示，這樣的CCD稱(chēng)為三相CCD。三相CCD器件的電荷耦合(

12、傳輸)方式必須在三相交迭脈沖的作用下才能以一定的方向逐單元的轉(zhuǎn)移。另外，這里還必須強(qiáng)調(diào)指出，CCD電極間隙必須很小，電荷才能不受阻礙地自一個(gè)電極下轉(zhuǎn)移到相鄰電極下。理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)證實(shí)，為了不使間隙下方界面處出現(xiàn)妨礙電荷轉(zhuǎn)移的勢(shì)壘，間隙的長(zhǎng)度應(yīng)該小于3um。</p><p>　　(三)電荷的注入和檢測(cè)</p><p><b>　　1．電荷的注入</b></p>

13、;<p>　　在CCD中，電荷注入的方法有很多。歸結(jié)起來(lái)可分為兩類(lèi)：光注入和電注入。光注入方式，當(dāng)光照射到CCD硅片上時(shí)，在柵極附近的體內(nèi)產(chǎn)生電子一空穴對(duì)，其多數(shù)載流子被柵極電壓排開(kāi)，少數(shù)載流子則被其收集在勢(shì)阱中形成信號(hào)電荷。光注入方式又可分為正面照射式及背面照射式。CCD攝像器件的光敏單元為光注入方式。電注入方式種類(lèi)很多，下面僅介紹兩種常見(jiàn)的電流積分法和電壓注入法。</p><p><b&g

14、t;　　(1)電流積分法</b></p><p>　　如圖6(a)所示，由N+擴(kuò)散區(qū)(稱(chēng)為源擴(kuò)散區(qū)，記為S)和P型襯底形成的二極管是反向偏置的，數(shù)字信號(hào)或模擬信號(hào)通過(guò)隔直電容加到S上，用以調(diào)制輸入二極管的電位，實(shí)現(xiàn)電荷注入。輸入柵IG加直流偏置，對(duì)注入電荷起控制作用，在聲：到來(lái)期間，在IG和聲，下形成階梯勢(shì)阱。當(dāng)S處于正偏時(shí)，信號(hào)電荷通過(guò)輸人柵下的溝道，被注入到必：下的深勢(shì)阱中。被注入到聲2下的勢(shì)阱中

15、的電荷量吼取決于源區(qū)S的電壓Um、輸入柵IG下的電導(dǎo)以及注入時(shí)間T，(時(shí)鐘脈沖周期之半)。如果將N區(qū)看成MOS晶體管的源極，IG為其柵極而聲：為其漏極，當(dāng)它工作在飽和區(qū)時(shí)，輸入柵IG下溝道電流為由上式可見(jiàn)，這種注入方式的信號(hào)電荷Q信不僅依賴(lài)于Ui、和T，，而且與輸人二極管所加偏壓的大小有關(guān)，因此，Q倌與UID的線(xiàn)性關(guān)系較差。另外，信號(hào)由輸入柵引人時(shí)，二極管可以處于反偏也可以處于零偏。</p><p><b&

16、gt;　　(2)電壓注入法</b></p><p>　　與電流積分法類(lèi)似，也是把信號(hào)加到源擴(kuò)散區(qū)S上，如圖4—56(b)所示。所不同的是輸入柵IG電極上加與聲：同位相的選通脈沖，其寬度小于壚2的脈寬。在選通脈沖的作用下，電荷被注到第一個(gè)轉(zhuǎn)移柵九下的勢(shì)阱里，直到阱的電位與N+區(qū)的電位相等時(shí)，注入電荷才停止。聲：下勢(shì)阱中的電荷向下一級(jí)轉(zhuǎn)移之前，由于選通脈沖已經(jīng)停止，輸入柵下的勢(shì)壘開(kāi)始把九下和N+的勢(shì)阱分開(kāi)

17、；同時(shí)，留在IG下的電荷被擠到和N、的勢(shì)阱中。由此引起的電荷起伏不僅產(chǎn)生輸入噪聲，而且使蜘與UID的線(xiàn)性關(guān)系變壞。這種起伏可以通過(guò)減小IG電極的面積來(lái)克服。另外，選通脈沖的截止速度減慢也會(huì)減小這種起伏。電壓注入法的電荷注入量蜘與時(shí)鐘脈沖頻率無(wú)關(guān)。</p><p>　　2．電荷的檢測(cè)(輸出方式)</p><p>　　在CCD中，有效地收集和檢測(cè)電荷是一個(gè)重要問(wèn)題。CCD的重要特性之一是信號(hào)電

18、荷在轉(zhuǎn)移過(guò)程中與時(shí)鐘脈沖沒(méi)有任何電容耦合，但在輸出端則不可避免。因此，選擇適當(dāng)?shù)妮敵鲭娐房梢詫r(shí)鐘脈沖容性饋人輸出的程度盡可能地減小。目前CCD的輸出方式主要有電流輸出、浮置擴(kuò)散放大器輸出和浮置柵放大器輸出。下面對(duì)電流輸出方式作簡(jiǎn)單介紹，其他輸出方法本節(jié)不再討論。圖7為電流輸出方式。由反向偏置二極管收集信號(hào)電荷來(lái)控制A點(diǎn)電位的變化，直流偏置的輸出柵OG用來(lái)使漏擴(kuò)散和時(shí)鐘脈沖之間退耦。由于二極管Rr,反向偏置，形成一個(gè)深陷落信號(hào)電荷的勢(shì)阱

19、，轉(zhuǎn)移到廬：電極下的電荷包越過(guò)輸出柵OG，流人到深勢(shì)阱中。若二極管輸出電流為</p><p>　　電流輸出輸出電流的線(xiàn)性和噪聲只取決于輸出二極管和芯片外放大器的有關(guān)電容。</p><p>　　CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，中文學(xué)名為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，它本是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)一種重要的芯片，保存了系統(tǒng)引導(dǎo)最基本的資料。CMOS傳感器

20、也可細(xì)分為被動(dòng)式像素傳感器(Passive Pixel Sensor CMOS)與主動(dòng)式像素傳感器(Active Pixel Sensor CMOS)</p><p>　　CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)</p><p>　　CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)圖如圖8所示，其基本結(jié)構(gòu)由像元陣列、行選通邏輯、列選通邏輯、定時(shí)和控制電路、模擬信號(hào)處理器(ASP)等部分組成。目前的CMOS圖像傳感器已經(jīng)集成有模／數(shù)

21、轉(zhuǎn)換器(ADC)等輔助電路。</p><p><b>　　圖8</b></p><p>　　CMOS圖像傳感器像元結(jié)構(gòu)</p><p>　　CMOS圖像傳感器有兩種基本類(lèi)型，即無(wú)源像素圖像傳感器(PPS)和有源像素圖像傳感器</p><p>　　PPS像元結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，沒(méi)有信號(hào)放大作用，只有單一的光電二極管(MOS或PN結(jié)二

22、極管)。其工作原理如圖9(a)所示。光電二極管將入射光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)，光生電信號(hào)通過(guò)一個(gè)晶體管(開(kāi)關(guān))傳輸?shù)郊以嚵型鈬姆糯笃鳌?lt;/p><p><b>　　圖9</b></p><p>　　由于PPS像元結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所以在給定的單元尺寸下，可設(shè)計(jì)出最高的填充系數(shù)(有效光敏面積與單元面積之比)；在給定的填充系數(shù)下單元尺寸可設(shè)計(jì)得最小。但是，PPS的致命弱點(diǎn)是讀出噪聲

23、大，主要是固定圖形噪聲，一般有250個(gè)均方根電子。由于多路傳輸線(xiàn)寄生電容及讀出速率的限制，PPS難以向大型陣列發(fā)展(難超過(guò)1000元X1000元)。</p><p>　　APS像元結(jié)構(gòu)內(nèi)引入了至少一個(gè)(一般為幾個(gè))晶體管，具有信號(hào)放大和緩沖作用，其原理圖如圖4—73(b)。在像元內(nèi)設(shè)置放大元件改善了像元結(jié)構(gòu)的噪聲性能。</p><p>　　APS像元結(jié)構(gòu)復(fù)雜，與PPS相比填充系數(shù)減小，(一

24、般為20％一30％，與IT—CCD接近)因而需要一個(gè)較大的單元尺寸。隨著CMOS技術(shù)的發(fā)展，幾何設(shè)計(jì)尺寸日益減小，填充系數(shù)不是限制APS潛在性能的因素。由于APS潛在的性能，目前主要在發(fā)展CMOS有源像素圖像傳感器。</p><p>　　CMOS圖像傳感器像元電路</p><p>　　CMOS圖像傳感器像元電路如圖8和圖10所示。CMOS圖像傳感器的光敏單元行選通邏輯和列選通邏輯可以是移位

25、寄存器，也可以是譯碼器。定時(shí)和控制電路限制信號(hào)讀出模式、設(shè)定積分時(shí)間、控制數(shù)據(jù)輸出率等。在片模擬信號(hào)處理器完成信號(hào)積分、放大、取樣和保持、相關(guān)雙取樣、雙厶取樣等功能。在片模擬／數(shù)字轉(zhuǎn)換器(A／D)是在片數(shù)字成像系統(tǒng)所必需的，CMOS圖像傳感器可以使整個(gè)成像陣列有一個(gè)ADC或幾個(gè)ADC(每種顏色一個(gè))，也可以是成像陣列每列各一個(gè)。</p><p><b>　　圖10</b></p>

26、<p>　　CMOS圖像傳感器圖像信號(hào)有3種讀出模式：(1)整個(gè)陣列逐行掃描讀出，這是一種較普通的讀出模式。(2)窗口讀出模式，僅讀出感興趣窗口內(nèi)像元的圖像信息，增加了感興趣窗口內(nèi)信號(hào)的讀出率。(3)跳躍讀出模式，每隔n個(gè)像元讀出，用降低分辨率為代價(jià)，允許圖像取樣，以增加讀出速率。跳躍讀出模式與窗口讀出模式結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)電子全景攝像、傾斜攝像和可變焦攝像</p><p>　　2 DM6446的音視頻

27、開(kāi)發(fā)板</p><p><b>　　總體概述</b></p><p>　　DM6446平臺(tái)介紹</p><p><b>　　1.產(chǎn)品簡(jiǎn)介 </b></p><p><b>　　1.1 適用范圍 </b></p><p>　　適用于圖像處理，多媒體處理，通

28、訊系統(tǒng)，數(shù)字信號(hào)處理，嵌入式系統(tǒng)研究</p><p>　　及相關(guān)領(lǐng)域的大學(xué)老師，研究人員，研究生和高年級(jí)本科生研究使用。 </p><p>　　1.2 系統(tǒng)資源簡(jiǎn)介 </p><p>　　1. DM6446 CPU BOARD </p><p>　　2. DM446 EVM BOARD </p><p>　　3

29、. 彩色攝像頭（NTSC）及配套電源 </p><p>　　4. 液晶電視及配套電源和遙控 </p><p>　　5. 資料光盤(pán) </p><p>　　6. DAVINCI 板卡配套硬盤(pán)(40G) </p><p>　　7. 5V, 3A 電源（配板卡） </p>&l

30、t;p>　　8. 視頻線(xiàn)，串口線(xiàn)，網(wǎng)口線(xiàn)， </p><p>　　9. 實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū) </p><p>　　1.3 硬件主要性能指標(biāo) </p><p>　　DM6446 CPU BOARD: </p><p>　　1. 設(shè)計(jì)為獨(dú)立使用方式 </p><p>　　2. CPU : DM

31、6446 (ARM9 和 C64+) ARM: 300MHZ DSP: 600MHZ </p><p>　　3. DDR: 1GB, 2GB 可選， 主推 1GB </p><p>　　4. NORFLASH: 256MB </p><p>　　5. NANDFLASH: 512MB </p><p

32、>　　6. 電源系統(tǒng)：3.3V, 1.8V, 1.2V </p><p>　　7. Tech-Davinci 總線(xiàn)接口槽 </p><p>　　DM6446 EVM BOARD: </p><p>　　1. 音頻： 兩路輸入，兩路輸出 </p><p>　　2. 4 路視頻輸出 </p>&l

33、t;p>　　3. 3 路視頻輸入 </p><p>　　4. CF 卡插槽，SM/XD, MICIPCI </p><p>　　5. 44 針硬盤(pán)接口槽 </p><p>　　6. 標(biāo)準(zhǔn)串口 </p><p>　　7. 標(biāo)準(zhǔn) RJ-45 10M/100M 以太網(wǎng)接口。 </p><p>　　8

34、. 主從 USB 接口 </p><p>　　9. 8 路 LED 燈</p><p>　　1.4 產(chǎn)品介紹及原理圖片</p><p><b>　　圖11</b></p><p><b>　　圖12</b></p><p>　　TMS320DM6446硬件概述<

35、/p><p>　　如圖13所示，DM6446包含以下資源</p><p><b>　　處理器核</b></p><p>　　– 300MHz ARM926EJ-S? (MPU) 內(nèi)核</p><p>　　– 600MHz TMS320C64x+? DSP 內(nèi)核</p><p><b>　

36、　存儲(chǔ)資源</b></p><p>　　– 片內(nèi)L1/SRAM: 112 KB DSP, 40 KB</p><p><b>　　ARM</b></p><p>　　– 片內(nèi)L2/SRAM: 64 KB圖13</p><p><b>　　外設(shè)</b></p><p

37、>　　– 視頻處理子系統(tǒng)：VPSS</p><p>　　? 視頻前段– 縮放引擎, 圖像處理引擎, </p><p>　　16-bit數(shù)字輸入</p><p>　　? 視頻后端 – 集成OSD, 4個(gè)視頻DACs, </p><p>　　24-bit數(shù)字RGB輸出</p><p><b>　　優(yōu)點(diǎn)/性

38、能</b></p><p>　　? DM6446的這種高集成度的SoC使得客戶(hù)可</p><p>　　以以較低的成本快速開(kāi)發(fā)自己的產(chǎn)品。</p><p>　　? 視頻的編解碼能力</p><p>　　– H.264 BP D1 編/解碼</p><p>　　– MPEG-2 MP SD 解碼, MPEG

39、-4 D1 SD 解碼</p><p><b>　　以下作簡(jiǎn)要說(shuō)明</b></p><p>　　處理器（ARM+DSP）</p><p><b>　　ARM926內(nèi)核</b></p><p>　　ARM926EJ-S(ARMV5T核)，最大頻率: 300 MHz， 支持多個(gè)操作系統(tǒng): Linux,

40、WinCE等， 哈佛結(jié)構(gòu)，帶有5級(jí)流水線(xiàn)， 指令集包含了一個(gè)增強(qiáng)性的</p><p>　　16x32位的硬件乘法器， 能夠執(zhí)行單周期的MAC操作</p><p>　　C64x+ CPU 結(jié)構(gòu)</p><p><b>　　圖14</b></p><p>　　? 8個(gè)功能單元：M1,L1,D1,S1,M2,L2,D2,S

41、2 at Natural 其中乘法 (.M) 和 ALU (.L)提供了最大 8 MACs/cycle (8x8 或16x16).L和.S主要是執(zhí)行一些算術(shù)，邏輯，分量的功能.D主要是從Memory中l(wèi)oad數(shù)據(jù)到寄存器文件或把結(jié)果從寄存器文件存放到Memory中</p><p>　　2個(gè)寄存器文件A和B，每個(gè)寄存器文件包含32個(gè)32位的寄存器</p><p>　　視頻處理子系統(tǒng) (VPS

42、S)</p><p><b>　　圖15</b></p><p>　　如上圖所示，視頻處理子系統(tǒng)包括：</p><p>　　視頻處理前端 – VPFE</p><p>　　? CCDC - Charge Coupled Devices Controller 電荷耦合設(shè)備控制器</p><p>

43、　　? Previewer – 預(yù)覽引擎</p><p>　　? Resizer – 縮放引擎</p><p>　　? H3A – 自動(dòng)曝光，自動(dòng)對(duì)焦，自動(dòng)白平衡</p><p>　　視頻處理后端 – VPBE – OSD</p><p>　　硬件實(shí)現(xiàn)的On-Screen Display (OSD)</p><

44、p>　　? 2 個(gè)獨(dú)立的視頻窗口：Video Windows 0/1</p><p>　　? 2 個(gè)獨(dú)立的OSD窗口：OSD Windows 0/1</p><p>　　? 其中OSD Windows 1可配置成屬性窗口用來(lái)控制視頻窗口與OSD Windows 0的混合，即透明度</p><p>　　?

45、1 個(gè)矩形指針窗口 同時(shí)支持1 個(gè)背景窗顏色</p><p>　　視頻處理后端 – VPBE – VENC</p><p><b>　　模擬輸出:</b></p><p>　　? 4個(gè)54Mhz 10位的DACS </p><p>　　? 復(fù)合NTSC/PAL視頻（1DAC）</p><p>

46、　　? S-Video(2 DAC)</p><p>　　? 分量(YPbPr) or RGB(3 DAC)</p><p><b>　　? 數(shù)字輸出:</b></p><p>　　? Max Pixel clock rate: 75 Mhz (720p and 1080i use 74.25 Mhz)</p><

47、p>　　? 8/16 bit YUV</p><p>　　? 達(dá)到24-bit RGB</p><p>　　? BT.656 NTSC/PAL</p><p>　　VICP: 視頻/影像協(xié)處理器（包含iMX和VLCD）</p><p>　　iMX (Imaging Extension)</p><p>　

48、　? 相當(dāng)于一個(gè)300MHz的Encoder</p><p><b>　　? 色域空間轉(zhuǎn)變</b></p><p><b>　　? 過(guò)濾</b></p><p><b>　　? 動(dòng)態(tài)評(píng)估</b></p><p>　　VLCD*(Variable Length Codec Dec

49、oder)</p><p>　　? 相當(dāng)于一個(gè)300MHz的Decoder</p><p>　　? Huffman哈弗曼編解碼</p><p><b>　　DDR2存儲(chǔ)控制器</b></p><p>　　DDR2 memory controller </p><p>　　? 256 Mbyt

50、e的存儲(chǔ)空間</p><p>　　? 16/32-bit數(shù)據(jù)總線(xiàn)</p><p>　　? Sequential burst length of 8</p><p>　　? 頁(yè)大小: 256, 512, 1024, 2048</p><p><b>　　DDR2 設(shè)計(jì)</b></p><p>

51、<b>　　? 信號(hào)時(shí)序</b></p><p><b>　　? 信號(hào)完整性</b></p><p>　　? U-boot在啟動(dòng)時(shí)設(shè)置DDR2 控制器的參數(shù)，包括始終頻率，總線(xiàn)寬度</p><p>　　ARM，DSP共享的資源 圖16</p><p>&l

52、t;b>　　圖17</b></p><p>　　DMSoC交換中心資源（SCR）</p><p><b>　　圖18</b></p><p>　　TMS320DM6446 達(dá)芬奇技術(shù)軟件架構(gòu)</p><p><b>　　圖19</b></p><p><