1、“集成電路與半導體物理集成電路與半導體物理”(802)”(802)復習提綱復習提綱一、一、總體要求總體要求“集成電路與半導體物理”（802）由數(shù)字集成電路和半導體物理二部分組成，其中集成電路占40%（60分），半導體物理占60%（90分）。“數(shù)字集成電路”要求學生應深入理解數(shù)字集成電路的相關基礎理論，掌握數(shù)字集成電路電路、系統(tǒng)及其設計方法。重點掌握數(shù)字集成電路設計的質(zhì)量評價、相關參量；能夠設計并定量分析數(shù)字集成電路的核心——反相器的完整

2、性、性能和能量指標；掌握CMOS組合邏輯門的設計、優(yōu)化和評價指標；掌握基本時序邏輯電路的設計、優(yōu)化、不同形式時序器件各自的特點，時鐘的設計策略和影響因素；定性了解MOS器件；掌握并能夠量化芯片內(nèi)部互連線參數(shù)。“半導體物理”要求學生熟練掌握半導體的相關基礎理論，了解半導體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點掌握半導體中的電子狀態(tài)和帶、半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布、半導體的導電性、半導體中的非平衡載流子等相關知識

3、、基本概念及相關理論，掌握半導體中載流子濃度計算、電阻(導)率計算以及運用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律等?！凹呻娐放c半導體物理”（802）研究生入學考試是所學知識的總結(jié)性考試，考試水平應達到或超過本科專業(yè)相應的課程要求水平。二、二、各部分復習要點各部分復習要點●“●“數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路”部分各章復習要點部分各章復習要點“數(shù)字集成電路”考試范圍及要點包括：數(shù)字集成電路設計質(zhì)量評價的基本要素；CMOS集成電

4、路設計規(guī)則與工藝縮??；二極管基本結(jié)構(gòu)、參數(shù)、靜態(tài)特性、動態(tài)特性、二極管分析模型；MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)、閾值電壓、亞閾值特性、工作區(qū)、溝道長度調(diào)制、速度飽和、MOS晶體管分析模型；反相器靜態(tài)特性、開關閾值、噪聲容限、穩(wěn)定性，反相器動態(tài)特性、電容構(gòu)成，傳播延遲分析與尺寸計算、反相器靜態(tài)功耗、動態(tài)功耗；靜態(tài)互補CMOS組合邏輯門設計、尺寸設計、延遲計算與優(yōu)化，有比邏輯基本原理、傳輸管邏輯基本原理；動態(tài)CMOS設計基本原理、信號完整性問題及其速

5、度與功耗；時序二極管手工分析模型二極管SPICE模型MOS晶體管結(jié)構(gòu)MOS晶體管工作區(qū)MOS晶體管靜態(tài)特性、閾值電壓、溝道長度調(diào)制、速度飽和MOS晶體管亞閾值特性MOS晶體管動態(tài)特性MOS晶體管電容構(gòu)成熱載流子效應CMOS閂鎖效應MOS晶體管SPICE模型MOS晶體管手工分析模型（三）導線（三）導線1.1.復習內(nèi)容復習內(nèi)容互連線的電路模型，SPICE模型，確定并定量化互連參數(shù)；傳輸線效應；互連線的信號完整性2.2.具體要求具體要求互連參