0.18um工藝1kx8bits同步sram模塊設(shè)計(jì)_第1頁
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文檔簡介

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文0.18um工藝1Kx8 bits同步SRAM模塊設(shè)計(jì)姓名:黃碧申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):電子與通訊工程指導(dǎo)教師:李文宏20070408摘 要本論文在深入研究S R A M 的工作原理和采用深亞微米工藝所遇到的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的基礎(chǔ)上,采用綜合考慮芯片面積,速度和功耗的架構(gòu),并針對(duì)具體的電路設(shè)計(jì),提出了一些新的設(shè)計(jì)觀點(diǎn)和設(shè)計(jì)方案。論文的主要研究工作和創(chuàng)新結(jié)果摘要如下:1 .論文首先討論了S R A M 的理論設(shè)計(jì)背景和設(shè)計(jì)規(guī)范

2、:在對(duì)S R A M 的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)以及工作原理,S R A M 工作中的時(shí)序控制和主要控制信號(hào),以及S R A M 的讀寫操作的具體流程進(jìn)行簡要介紹后,結(jié)合半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展、深亞微米工藝的挑戰(zhàn),以及S R A M 技術(shù)的發(fā)展,確定了S R A M 模塊的設(shè)計(jì)規(guī)范。2 .論文隨后研究和討論了S R A M 模塊的系統(tǒng)構(gòu)架和物理布局;首先詳細(xì)分析了整個(gè)系統(tǒng)的主要組成部分,簡述了各部分的功能和它們之間的相互聯(lián)系,構(gòu)建出一個(gè)完整的系統(tǒng)架

3、構(gòu)圖;然后據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)速度和功耗的要求,綜合考慮芯片面積等因素,通過估算,確定了S R A M 存儲(chǔ)單元陣列和外圍電路的物理布局。3 .然后,論文分析了具體電路的設(shè)計(jì);主要內(nèi)容包括輸入鎖存電路,S R A M 存儲(chǔ)單元,行列譯碼電路,輸入輸出電路,讀寫時(shí)序控制電路和預(yù)充電電路的設(shè)計(jì),在每個(gè)單元電路的設(shè)計(jì)過程中,詳細(xì)討論了該電路的電路功能,電路原理,電路結(jié)構(gòu),電路參數(shù),電路圖,以及電路仿真結(jié)果和仿真波形:在所有的電路中,最具創(chuàng)新意義的是新

4、型預(yù)充電電路的設(shè)計(jì),在討論其具體的電路設(shè)計(jì)之前,論文首先對(duì)方案的可行性進(jìn)行了討論,通過精確的計(jì)算得出了預(yù)充電電源的理論最優(yōu)值,使設(shè)計(jì)有了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ),在隨后的電路設(shè)計(jì)中,既考慮了電路的性能,又考慮了電路的成本和穩(wěn)定性,采用了簡單的結(jié)構(gòu),避免了對(duì)運(yùn)放穩(wěn)定性的補(bǔ)償,新型的預(yù)充電電路顯著的提高了電路速度,減小了電路功耗;在電路設(shè)計(jì)完成后,本文還論述了該S R A M 模塊的版圖設(shè)計(jì)。4 .最后,論文對(duì)所有的工作進(jìn)行了總結(jié),并對(duì)S R A M

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