1、隨著信息技術的飛速發(fā)展，嵌入式 SoC技術廣泛應用在便攜式電子設備中，成為集成電路發(fā)展的重要支柱。靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）是 SoC和處理器中的重要組成部分，其速度，功耗和面積等性能制約著 SoC和處理器的發(fā)展。隨著工藝制程和電路結構的改善，SRAM的性能取得了極大的提升，但是大容量高性能SRAM的設計仍是當今研究的重點。
　　針對72M異步SRAM的設計需求，本文基于65nm工藝設計了一款8KX16 SRAM。前仿真在最壞PV

2、T條件下的讀出速度為2.28ns，在tt條件下其工作速度達到1.47ns，滿足了設計需求，并用全定制設計方法設計了8KX16 SRAM的版圖。
　　本文主要圍繞外圍電路中的譯碼電路、靈敏放大器電路和全定制版圖展開。為了滿足高速高穩(wěn)定性譯碼器要求，本文首先確定了兩級靜態(tài)譯碼器結構。用邏輯努力理論確定了譯碼器延遲鏈的MOS管尺寸，使譯碼速度達到最優(yōu)，經(jīng)Hspice仿真在tt條件下譯碼器的延時為0.339ns。本文以電流鏡型靈敏放大器為