1、隨著半導(dǎo)體工業(yè)的快速發(fā)展，芯片的功耗變得越來(lái)越大，另外芯片溫度的分布也不均勻，研究用于監(jiān)控芯片溫度熱點(diǎn)的片上溫度測(cè)量技術(shù)就顯得越來(lái)越重要。片上電容測(cè)量技術(shù)既可用于建立互連線的寄生參數(shù)仿真模型又可對(duì)集成電路制造工藝進(jìn)行監(jiān)控，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的快速進(jìn)步，其在學(xué)術(shù)界已受到了廣泛關(guān)注。
　　CMOS智能溫度傳感器是一種片上溫度測(cè)量技術(shù)。為了減小失配誤差和保證較高的輸出動(dòng)態(tài)范圍，本文在0.18um CMOS工藝下，設(shè)計(jì)并流片了一種新型CMOS智

2、能溫度傳感器。和傳統(tǒng)CMOS智能溫度傳感器相比，新結(jié)構(gòu)通過(guò)減少電流鏡的使用，以及在兩種運(yùn)行模式之間的切換，在軍用溫度范圍內(nèi)，可使輸出達(dá)到90％動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)，減小至少66％的失配誤差。
　　CBCM(Charge-Based Capacitance Measurement)測(cè)試結(jié)構(gòu)是一種具有高精度和簡(jiǎn)單測(cè)量過(guò)程的片上電容測(cè)量技術(shù)，可尋址CBCM測(cè)試結(jié)構(gòu)還具有較快的測(cè)試速度以及較高的面積利用率等優(yōu)點(diǎn)。本文對(duì)CBCM基本結(jié)構(gòu)的測(cè)量誤差