1、集成電路芯片越來越多地成為重要信息的存儲載體，這些信息需要得到保護;同時，芯片內(nèi)部的電路結構本身作為重要的知識產(chǎn)權，也需要得到有效保護。技術的進步使得針對芯片的各種物理攻擊成為可能，在此背景下硬件安全問題日益重要，關于硬件防護技術的研究也成為當前的研究熱點。
　　傳統(tǒng)的被動式防護技術很難徹底的抵御攻擊者的攻擊，容易造成關鍵信息泄露;集成電路物理性自損防護技術是一種主動防護技術，通過自損終止攻擊行為，從而達到保護集成電路信息安全的目

2、的，是目前最徹底、最有效的保護方法。
　　針對改變芯片的工作溫度可以攻擊芯片，本論文研究一種抗溫度錯誤注入攻擊的物理自損防護技術。論文首先介紹了現(xiàn)有的集成電路防護技術，然后分析了集成電路物理攻擊的原理，最后基于TSMC0.18μm CMOS工藝設計了物理自損防護電路，電路具有抗溫度錯誤注入攻擊的功能，能夠?qū)崿F(xiàn)主動防護。
　　關鍵電路包括帶隙基準電路、比較器電路、電荷泵電路。其中，帶隙基準電路采用了高階溫度補償技術、調(diào)節(jié)型共源

3、共柵結構，有效地降低了溫度系數(shù)和提高了電源電壓抑制比;比較器電路采用預放大可再生結構，有效提高了比較速度，減小了功耗;電荷泵電路采用交叉耦合級聯(lián)結構，PMOS管的襯底與源極相連接，有效減少了閾值電壓變化，提高了電荷傳輸效率。本文設計的抗溫度錯誤注入攻擊能夠防御-40℃以下和120℃以上的攻擊。對設計的抗溫度錯誤注入攻擊物理防護中的電路進行仿真，帶隙基準電壓源的溫度系數(shù)為13.94ppm/℃，電源電壓抑制比為59.17dB;比較器的大信號