1、二氧化釩(VO2)是一種電子強關聯(lián)體系的金屬氧化物材料，它具有一階可逆相變特性。在臨界溫度68℃附近，VO2發(fā)生金屬-絕緣相變(MIT)，由低溫單斜相突變到高溫四方相，相變前后電阻突變可高達4～5個量級，同時VO2在相變前后對紅外光的透射具有調制作用，即由低溫高透性變?yōu)楦邷馗叻葱?。正是由于這種接近室溫的電學和光學突變性質，VO2吸引了人們的廣泛關注，使其在智能窗、光電開光、光電存儲、紅外激光輻射防護和非制冷紅外探測器等領域有著極其廣泛的

2、應用前景。
　　但是，一方面，由于VO2的臨界相變溫度還是相對過高，極大的阻礙了VO2材料在許多領域的廣泛的應用，因此調控VO2的相變溫度(Tc)，將Tc調節(jié)到室溫附近對解決VO2應用的瓶頸問題就顯得尤為重要。有許多的文獻報道了Tc能夠通過如下三種方法得到有效的調控:一是高價金屬離子摻雜來調控相變溫度;二是通過薄膜內部或外部的應力來調控相變溫度;三是構建VO2場效應器件，通過離子液來施加外電場，從而有效地降低VO2的相變溫度。

3、r>　　另一方面，要想使二氧化釩具有更廣泛的應用，我們還需要從VO2薄膜與其他材料的復合方面著手，結合VO2與其他材料的各種優(yōu)勢，使其更加具有實際利用價值。根據(jù)這樣的思路，該論文的主要研究內容及其所取得的研究成果如下:
　　(1)利用氧源分子束外延(OMBE)方法制備高質量的VO2外延薄膜樣品。OMBE能夠精確地制備不同厚度高質量的VO2薄膜，且通過精確控制釩和氧原子比，來實現(xiàn)不同價態(tài)的釩氧化物(VOx)薄膜的外延生長。此外，該薄

4、膜樣品制備方法的可重復率高，還能制備2英寸大面積的VO2薄膜。
　　(2)通過在p-GaN單晶襯底上制備高質量n型導電的VO2薄膜得到p-n結型半導體器件。利用XRD以及Raman光譜來研究薄膜生長行為和物相成分，再借助高分辨同步輻射ψ-scan XRD來研究薄膜與襯底之間的界面匹配關系。同時通過在p-n結兩端加上偏壓來調控耗盡層內載流子濃度的方法來實現(xiàn)VO2薄膜的金屬-絕緣相變特性的調控。實驗研究結果表明，p-n結耗盡層內電荷載

5、流子濃度能通過外加偏壓來控制，從而有效地調控VO2的金屬絕緣相變。通過構筑p-n結型器件，利用電場調控VO2薄膜的相變這一創(chuàng)新思路有望在光電存儲或傳感器領域得到廣泛的使用。
　　(3)嘗試開展了VO2薄膜在石墨烯和HOPG襯底上的生長研究，制備出了可轉移的VO2/HOPG或VO2/grapheme復合薄膜。同時探究了VO2/grapheme和VO2/HOPG復合異質結構在智能窗領域的應用;嘗試利用VO2薄膜在適當條件下退火的方法制