1、二氧化釩（VO2）是一種具有相變特性的功能材料，在大約68℃會發(fā)生從低溫單斜半導體相向高溫金紅石四方晶金屬相的轉變。1959年F.J.Morin在貝爾實驗室首先發(fā)現了VO2的相變特性，使其成為當前熱致相變材料研究的熱點之一；同時由于VO2本身具有較高的電阻溫度系數（TCR），也使其成為了熱敏電阻材料研究的熱點之一。這些特性令VO2具有十分廣闊的應用前景，尤其是在非制冷紅外探測器和智能窗的應用方面，非常具有社會意義和經濟價值。鑒于VO2薄

2、膜實際應用的需求，關于VO2薄膜溫度電阻系數的研究受到了眾多學者的關注。
　　本文使用濺射氧化耦合法在不同氧化溫度下制備出了高質量的VO2薄膜。實驗中發(fā)現隨著氧化溫度的增加，薄膜顆粒度隨之增加。進一步分析發(fā)現顆粒度的增大會直接引起薄膜TCR的降低，在顆粒度為76nm時有TCR的最大值為-5.11％/℃，并通過最小二乘法建立起了兩者之間的線性關系。這一結果可以為制備更高TCR的VO2薄膜提供一定的理論指引，也為制造性能更優(yōu)異的微測輻

3、射熱計奠定了一些基礎。
　　另一方面，由于眾多VO2的應用都要求其相變溫度接近室溫，所以使用摻雜技術使其相變溫度降低至室溫附近是當前VO2薄膜摻雜技術的研究熱點。本文使用濺射氧化耦合法，通過氧化夾層結構的V/Mo/V金屬膜獲取了Mo摻雜的VO2薄膜，成功將相變溫度由65.03℃降低至51.36℃。更加值得關注的是，當摻雜量增加至7.247％的時候，得到了方阻為35.76kΩ/□，TCR為-2.747％/℃的VO2薄膜，同時發(fā)現了M