壓電半導體結構中的幾類典型導波.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著微機電技術的發(fā)展,具有機電耦合特性和半導體特性的壓電半導體材料備受關注,以ZnO為代表的具有半導體特性的壓電材料可被用于新型微機電聲波器件中。本論文基于彈性動力學基本理論,考慮壓電效應、半導體特性和偏置電場等耦合作用,對壓電半導體結構中傳播的幾類典型導波進行了建模分析、理論計算和數據分析,主要內容分為兩個方面:
 ?。?)分析討論了橫觀各向同性壓電半導體結構中的幾類典型導波的傳播特性問題?;诒緲嫹匠?、位移與應變關系和場控制方

2、程建立了由位移函數、電勢函數以及擾動載流子濃度函數表示的場控制偏微分方程組。考慮應力自由和電學連續(xù)性邊界條件,得到導波的波速和波數之間的解析方程。
 ?。?)基于上述的解析模型,分析了典型壓電半導體半空間結構中的廣義Rayleigh波以及壓電半導體板中SH波和Lamb波等幾類典型導波的傳播特性問題。研究發(fā)現:廣義 Rayleigh波可以在壓電半導體半空間中傳播,半導體特性導致了波的頻散,S H波和Lam b波同樣可以在壓電半導體板

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