1、本文研究了幾種典型壓電半導體結構中的力-電-載流子之間的耦合作用。首先求解了一個含圓孔的壓電半導體板的反平面變形問題，得出了圓孔附近切應力、載流子濃度、電場強度、切應變和電位移等物理量的分布規(guī)律。計算發(fā)現(xiàn)：圓孔附近的切應力和電流強度的分布與半導體特性無關；而電場強度、切應變、載流子濃度和電位移的分布都會受半導體摻雜濃度的影響，摻雜濃度越大，電場強度和電位移在圓孔附近衰減的越快，載流子在圓孔邊界的集中程度越小。針對受軸向力作用的壓電p-n

2、結問題，我們考慮p-n結的內部電場效應，建立了相關的分析模型，得到了p-n結各區(qū)域的電場分布規(guī)律和載流子的分布規(guī)律。通過少數(shù)載流子的變化計算出了p-n結內部的局部電流。最后我們研究了矩形截面氧化鋅納米線的橫向彎曲問題。根據(jù)壓電半導體結構的基本方程解耦推導出了各階壓電勢、載流子濃度、電場強度等物理量的表達式，然后通過數(shù)值計算分析了各物理量的分布規(guī)律。我們發(fā)現(xiàn)，橫向彎曲的納米線受拉一側呈現(xiàn)為正電勢，受壓一側為負電勢。分析了材料的摻雜濃度對于