1、ADP晶體（磷酸二氫銨晶體，NH4H2PO4）是一種性能較優(yōu)良的非線性光學晶體，在激光和光電子技術(shù)應用方面占有重要地位。ADP晶體是KDP類晶體中的重要成員，近年關于ADP晶體在一定條件下能由鐵電體轉(zhuǎn)變?yōu)榉磋F電體的研究發(fā)現(xiàn)，使其在KDP類晶體中脫穎而出，市場上對于大尺寸ADP晶體的需求也隨之增加。目前，生長大尺寸KDP類晶體最常用的方法為溶液生長法，實驗發(fā)現(xiàn)，采用溶液法生長KDP類晶體的過程中，會出現(xiàn)一種奇特的現(xiàn)象，即薄表面層生長現(xiàn)象。

2、不同于晶體的正常生長，薄表面層是在生長溶液中懸垂生長，下方無任何晶體結(jié)構(gòu)作為基底。Z切片籽晶的晶錐再生過程（成帽過程）是最典型的薄表面層生長過程，最終形成的晶錐為包裹有生長溶液的“空盒子”，而Z切片籽晶是目前生長大尺寸KDP類晶體中應用最為廣泛的籽晶，很多研究表明，晶錐再生過程的順利與否，直接關系到晶體的生長質(zhì)量及最終利用率。此外，研究發(fā)現(xiàn)具有非完整晶體學形態(tài)的晶體同樣以薄表面層生長的方式對其形態(tài)進行恢復，由于薄表面層內(nèi)部包裹有大量生長

3、溶液，導致最終形成的晶體質(zhì)量較差。然而，至今仍未見關于薄表面層生長現(xiàn)象的合理解釋，開展實驗研究薄表面層生長特性具有重要意義。
　　本文以ADP晶體為研究對象，使用金剛石線切割機制備ADP晶體樣品，開展關于ADP晶體薄表面層形成及生長特性的實驗研究，并從生長動力學角度出發(fā)探究了ADP晶體薄表面層的生長規(guī)律，主要內(nèi)容為：
　　①開展實驗，測定了不同溫度下ADP原料的溶解度，擬合得出了相應的溶解度曲線，為后期晶體生長實驗及薄表面層

4、生長特性研究實驗的開展奠定了基礎。
　　②設計實驗，采用“點籽晶”全方位生長法生長ADP晶體，介紹了兩種制備點籽晶的方法，分別為：自然蒸發(fā)法、金剛石線切割法，對比分析了采用兩種不同籽晶生長ADP晶體的利弊。
　?、墼O計實驗，研究凹角對薄表面層生長特性的影響，使用金剛石線切割機，切割獲取得到5種具有不同類型凹角的ADP晶體樣品，對比分析了不同ADP晶體樣品薄表面層的生長特性，結(jié)果表明，凹角的切割取向?qū)Ρ”砻鎸由L有較大影響，且

5、一定條件下，薄表面層最易形成于凹角處。
　?、茉O計實驗，研究不同棱角存在情況下ADP晶體樣品的薄表面層形成及生長特性，并結(jié)合顯微實時觀察實驗，探究棱角對ADP晶體薄表面層生長的影響。結(jié)果表明，棱角是否存在，會影響晶片對其形態(tài)的“判斷”，對薄表面層的生長速度有較大影響，綜合分析認為，棱角為薄表面層主要生長源。同時，使用顯微觀測系統(tǒng)，對ADP晶體薄表面層的形態(tài)進行觀測，并對其厚度進行了測量。
　?、菰O計顯微實時觀測系統(tǒng)，開展薄表