1、磷酸二氫銨(NH4H2PO4,簡(jiǎn)稱ADP)晶體是磷酸二氫鉀(KH2PO4,簡(jiǎn)稱KDP)類晶體的一種,具有優(yōu)良的鐵電、壓電和電光性能,易于長(zhǎng)成大尺寸高質(zhì)量的晶體,廣泛應(yīng)用于制作光學(xué)元件、激光器上的諧波發(fā)生器和Q開(kāi)關(guān)等。
　　 晶體質(zhì)量是晶體應(yīng)用的前提和基礎(chǔ),影響晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的因素有很多,探索提高晶體質(zhì)量的理論方法和技術(shù)方案一直是晶體學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。過(guò)飽和度是決定晶體生長(zhǎng)速度、影響晶體生長(zhǎng)穩(wěn)定性和晶體質(zhì)量的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),因此,確定

2、適合ADP晶體快速生長(zhǎng)的最佳過(guò)飽和度對(duì)該晶體的生長(zhǎng)具有重要意義。
　　 本文從理論上討論了一定溫度下適合ADP晶體快速生長(zhǎng)的過(guò)飽和度范圍。配置不同濃度的ADP飽和溶液,采用水溶液降溫法生長(zhǎng)晶體,觀察了不同過(guò)飽和度下ADP晶體的生長(zhǎng)現(xiàn)象,分析了過(guò)飽和度對(duì)晶體生長(zhǎng)習(xí)性的影響,并對(duì)生長(zhǎng)出的晶體進(jìn)行質(zhì)量測(cè)試,采用金相顯微鏡,同步輻射等手段對(duì)晶體中的位錯(cuò)、散射顆粒等缺陷進(jìn)行了分析,采用差熱和熱重分析研究了過(guò)飽和度對(duì)晶體熱性質(zhì)的影響,明確了