1、光刻是制備集成電路及其他微納器件過程中最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。而傳統(tǒng)光刻技術(shù)受光學(xué)衍射的影響，始終無法突破?/2的衍射極限，這嚴(yán)重限制了光學(xué)分辨率的提升，并成為微納加工領(lǐng)域發(fā)展的巨大障礙。近些年來，諸多可以克服衍射極限的新型光刻技術(shù)已經(jīng)蓬勃發(fā)展。其中，表面等離子體光刻技術(shù)因其波長短、局域性強(qiáng)等特性成為了研究超分辨光刻技術(shù)的熱點(diǎn)。本論文主要針對表面等離子體的超分辨光刻技術(shù)進(jìn)行了研究。論文的主要工作和結(jié)論如下：
　　1、首先分析了傳統(tǒng)光刻技術(shù)的

2、優(yōu)缺點(diǎn)，討論了光刻技術(shù)的發(fā)展歷史和發(fā)展新型光刻技術(shù)的必要性。分析了表面等離子體光刻技術(shù)的現(xiàn)狀，并在其基礎(chǔ)上，提出了基于PDMS軟掩模的表面等離子體光刻技術(shù)。
　　2、探索了表面等離子體的相關(guān)基本理論，研究了邊界效應(yīng)和耦合效應(yīng)光刻技術(shù)的內(nèi)在機(jī)理，介紹了本論文所采用的數(shù)值計(jì)算方法。
　　3、建立了傳統(tǒng)邊界效應(yīng)和表面等離子體邊界效應(yīng)的兩種光刻模型，利用時(shí)域有限差分法商用軟件Opti-FDTD對光刻模型進(jìn)行了仿真計(jì)算，并對比分析了兩

3、種邊界效應(yīng)的電場分布，確定了基于表面等離子體邊界效應(yīng)的光刻技術(shù)具有更高的分辨率和對比度，可實(shí)現(xiàn)超分辨成像。通過對表面等離子體邊界效應(yīng)光刻結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化，進(jìn)一步增強(qiáng)了表面等離子體邊界效應(yīng)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)條件，開展了相關(guān)邊界效應(yīng)的光刻實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明，利用線條寬度為18μm的掩模結(jié)構(gòu)制備出特征尺寸小于2μm的光刻圖形。
　　4、建立了光耦合效應(yīng)和表面等離子體耦合效應(yīng)的兩種光刻模型，并對兩種光刻模型進(jìn)行了仿真計(jì)算。通過對電場能量分布的對比分析，