1、該文應(yīng)用飛秒激光技術(shù)對(duì)發(fā)生在半導(dǎo)體材料中的超快動(dòng)力學(xué)過(guò)程進(jìn)行了研究.對(duì)不同的超快過(guò)程,采用相對(duì)應(yīng)的研究方法.應(yīng)用超快光電流譜方法,研究了Ge量子點(diǎn)中的載流子退相過(guò)程即動(dòng)量弛豫過(guò)程,并對(duì)這一過(guò)程進(jìn)行了理論模擬.應(yīng)用超快泵浦一探測(cè)反射譜方法,研究了摻Fe的InP材料中的光生載流子的能量弛豫過(guò)程及擴(kuò)散過(guò)程,提出了一個(gè)理論模型對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了很好的解釋.應(yīng)用超快泵浦一探測(cè)吸收譜助記詞熒光譜方法,研究了ZnSe納米材料中的非平衡載流子的弛豫過(guò)程.

2、1.建立了能用計(jì)算機(jī)控制的飛秒超快測(cè)試系統(tǒng),這套系統(tǒng)可以測(cè)量超快光電流譜、超快泵浦一探測(cè)透射譜、超快泵浦一探測(cè)反射譜和瞬態(tài)熒光譜,測(cè)試系統(tǒng)最小的時(shí)間分辨率0.021fs.2.據(jù)我們所知,用超快光電流譜對(duì)Ge量子點(diǎn)的退相過(guò)程進(jìn)行研究在國(guó)內(nèi)外還未曾報(bào)道過(guò).從理論上推導(dǎo)了脈沖作用下二能級(jí)體系的光學(xué)Bloch方程,應(yīng)用該方程可以對(duì)Ge量子點(diǎn)退相過(guò)程進(jìn)行很好的模擬,并獲得Ge量子點(diǎn)中的兩個(gè)子能級(jí)的退相時(shí)間均為130fs,而Si體材料中帶間退相時(shí)間