1、本文對8Ce, 0.8Y-TZP陶瓷的馬氏體相變和形狀記憶效應(yīng)、Ce，Y-TZP陶瓷室溫至250℃內(nèi)耗以及納米純ZrO2的表征進行了研究，得出以下結(jié)論：1.在0.04mm/min－0.08mm/min這一加載速度的區(qū)間內(nèi)，加載速度和冷卻速度對于形狀記憶效應(yīng)沒有明顯的影響；在4.3℃/min－26℃/min這一區(qū)間內(nèi)，升溫速度對于形狀記憶效應(yīng)沒有明顯的影響。2.采用晶體學(xué)表象理論計算了在OR-B2對應(yīng)關(guān)系下8Ce,0.5Y-TZP中的

2、t→m馬氏體相變的慣習(xí)面，計算結(jié)果接近于(130)t (～1°) 和 (11 1 0)t (～1°)。3.采用共沉淀法制備的ZrO2顆粒的尺寸為納米級；初步計算了t相和m相的表面過剩體積對于它們的晶格常數(shù)以及晶面間距造成的影響。4.在室溫至250°C溫度區(qū)間，單斜相的8Ce, 0.25Y-TZP陶瓷無內(nèi)耗峰，內(nèi)耗單調(diào)增加；而四方相的8Ce, 0.5Y-TZP和8Ce, 0.75Y-TZP陶瓷出現(xiàn)弛豫內(nèi)耗峰，內(nèi)耗Q-1的大小約為