1、隨著集成化的發(fā)展，小尺寸的半導體納米材料扮演的角色越來越重要。當材料的尺寸變小時，量子效應使得半導體納米材料具有與體材料完全不同的光電及力學性質。其中寬禁帶的Ⅱ-Ⅵ族半導體納米材料更是在光電子器件、太陽能電池、激光器等方面有著廣泛的應用。本文研究了CdSe/CdTe四角狀納米異質結構的可控合成及其光學性質；研究了ZnSe微米球的可控制備以及多殼層ZnSe核殼結構微米球的可控制備和光催化性能。具體研究內容如下：
　　1.通過簡單的化

2、學方法在溶液中合成具有Ⅱ型能帶排列的CdSe/CdTe異質節(jié)四角狀納米晶粒。高分辨透射電子顯微鏡（HRTEM）圖像表明，CdSe/CdTe異質節(jié)是由CdTe納米棒外延生長在四角狀CdSe的四臂上而形成的，并沒有觀察到核殼異質結構的出現。紫外-可見吸收光譜（UV-Vis）顯示，CdSe/CdTe異質節(jié)四角狀納米晶粒的吸收峰相比于CdSe四角狀晶體有明顯的紅移，同時也比CdSe四角狀晶粒的吸收峰更弱、更寬。異質結構在室溫下的光致發(fā)光（PL）

3、強度相比于CdSe四腳狀晶體要弱，相信這是由于異質結構中電子和空穴的空間分離所造成的。
　　2.用化學浴沉積方法，在一定的溫度下制備了ZnSe球狀顆粒，并通過掃描電子顯微鏡（SEM）觀察了該顆粒的形貌以及大小，利用X射線衍射（XRD）研究了該顆粒的結構與物相，用紫外－可見（UV-Vis）吸收光譜研究了其室溫的光吸收性質。結果表明，所形成的ZnS e晶體具有立方相結構。UV-Vis吸收光譜顯示該樣品的對紅光和近紅外光均有吸收。

4、>　　3.采用溶劑熱法在乙二醇（ EG）溶劑中，用乙二胺四乙酸（EDTA）作為輔助劑成功地合成了多殼層ZnSe核殼結構微米球。將制備的ZnSe微球用X射線衍射（XRD），掃描電子顯微鏡（SEM），透射電子顯微鏡（TEM），X射線能譜儀（EDX），和紫外可見吸收光譜進行表征。PL光譜顯示，多殼層ZnSe核殼結構微米球在567nm處有強烈的綠光發(fā)射峰。甲基紅光催化的結果表明，該多殼層ZnSe核殼結構微米球具有顯著的可見光響應型光催化劑活性。