1、本論文采用微波法、水熱法、溶劑熱法、回流法成功合成了不同形貌的Bi2S3納米材料。并用SEM、TEM、HRTEM、XRD等對所制備的產(chǎn)品進行了表征。主要內(nèi)容分為四個部分:微波分解單源前軀體法制備Bi2S3納米花;水熱法合成Bi2S3納米花;兩相溶劑熱界面反應(yīng)法合成Bi2S3納米棒;回流單源前軀體法制備Bi2S3納米花。
　　以Bi(S2CNEt2)3單源前軀體為原料,乙二醇為溶劑,在微波加熱條件下成功制備了Bi2S3納米花。XRD

2、分析表明獲得的產(chǎn)品為正交晶系,經(jīng)計算,其晶胞參數(shù)為a=0.4011nm,b=1.114nm,c=1.136nm。SEM和TEM的照片表明所制備的Bi2S3是由直徑為80～135nm,長度為0.9～1.5μm的納米棒組裝成的納米花。UV-Vis結(jié)果表明,Bi2S3納米花的直接帶隙寬度為1.72eV。微波輻照時間、溶劑和表面活性劑對產(chǎn)物形貌均有影響。
　　以Na2S2O3·5H2O和BiCl3為原料,聚乙烯醇PVA-124為戴帽劑,采

3、用水熱法成功制備了Bi2S3納米花。XRD的研究結(jié)果表明,Bi2S3納米花屬于正交晶系,經(jīng)計算,其晶胞參數(shù)a=0.3982nm,b=1.113nm,c=1.132nm。SEM的分析表明,Bi2S3納米花超結(jié)構(gòu)是由厚50～80nm的納米薄片組裝而成的。TEM和HRTEM的分析也進一步證實了這一結(jié)果。另外還探究了不同反應(yīng)時間、反應(yīng)溫度、PVA-124的不同用量對產(chǎn)物形貌的影響。UV-vis分析表明Bi2S3納米花的能帶間隙為1.55eV。<

4、br>　　以Bi(NO3)3·5H2O和CS2為原料,用兩相界面法成功制備了直徑為50～200nm,長度為0.9～2.5μm的硫化鉍納米棒。對產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、成份、形貌和光學特性用XRD、SEM、TEM、HRTEM和UV-Vis進行了表征和分析。結(jié)果表明,Bi2S3納米棒為正交晶系,其晶胞參數(shù)a=0.3981nm,b=1.105nm,c=1.134nm。研究發(fā)現(xiàn)反應(yīng)時間、反應(yīng)溫度和反應(yīng)介質(zhì)(兩相界面)對產(chǎn)物形貌有著重要的影響。UV-Vis分

5、析表明硫化鉍納米棒是直接帶隙為1.57eV的半導(dǎo)體材料。
　　以Na(S2CNEt2)·3H2O和Bi(NO3)3·5H2O為原料,先制得Bi(S2CNEt2)3單源前軀體,再以Bi(S2CNEt2)3為原料,乙二醇為反應(yīng)溶劑,采用回流法成功制備了Bi2S3納米花,用XRD、SEM、TEM、HRTEM、SAED以及UV-Vis對產(chǎn)物的晶型、形貌、結(jié)構(gòu)及光學特性進行了表征。結(jié)果表明:硫化鉍納米花屬于正交晶系,且是由直徑為70～130