摻雜MoO3納米晶體及MoO3復合物的制備及其氣敏性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文利用低溫的水熱法(120℃)成功地制備了寬度為200~800 nm和長度為幾微米的一維正交晶型三氧化鉬(α-MoO3)納米帶,本方法沒有加入任何表面活性劑與模板劑。為了提升單組份α-MoO3的氣敏性能,采用Cd元素摻雜改性α-MoO3納米帶。所制備α-MoO3樣品的結構和形貌通過XRD,F(xiàn)T-IR,Raman和FESEM進行了表征。測試了所制備的α-MoO3的氣敏性能,確定了最佳焙燒溫度和操作溫度。氣敏測試的結果表明300℃焙燒后的

2、5wt% Cd摻雜量的α-MoO3樣品在較低的操作溫度下對H2S氣體不僅展現(xiàn)出了高的靈敏度而且對其他還原性氣體具有很好的選擇性。氣敏性能的增強的原因在于Cd摻雜樣品固有的缺陷數(shù)目改變了,通過室溫熒光,紫外/可見吸收,拉曼光譜和X射線光電子能譜證明了上述結論。測試了傳感器對不同濃度H2S的暫態(tài)響應并通過L-H反應機理進行了模擬,得到了特征響應時間隨濃度的增大而減小.利用PL和XPS對5wt% Cd摻雜樣品的氣敏性能提高的原因和氣敏機理進行

3、了詳細的分析,提出了氣體吸脫附和反應的模型。
  本研究通過原位一步微波水熱法成功合成了不同含量rGO的1-D三氧化鉬/還原氧化石墨烯(MoO3/rGO)異質結復合物。復合物的形貌、結構和組成利用FESEM、HRTEM、XRD、 FT-IR、XPS、Raman和TG分析分別進行了表征。相比于單組份樣品,氣敏測試的結果表明這種新型的復合物對ppm級的H2S不僅表現(xiàn)出很高的靈敏度、好的選擇性、快速的響應和恢復,而且表現(xiàn)出具有長期穩(wěn)定性

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