1、介孔分子篩具有有序的孔道、豐富的表面羥基和形貌。利用介孔分子篩有序孔道為模板，經(jīng)過前驅(qū)物滲透→前驅(qū)物轉(zhuǎn)化→脫模制備一維材料，文獻(xiàn)中已有很多報(bào)道。事實(shí)上，由于擴(kuò)散阻力的影響和分子篩外表面的吸附作用，利用分子篩孔道進(jìn)行‘納米澆鑄’(nanocasting)制備一維材料，結(jié)果往往不令人滿意。文獻(xiàn)報(bào)道，在活性基團(tuán)(羥基、羰基、羧基、醚鍵等含氧基團(tuán))定向排列的物理模板表面上，通過活性基團(tuán)和金屬離子的配位作用，使金屬離子有序排列，可以得到金屬納米線

2、。介孔分子篩具有豐富的表面羥基，以介孔分子篩表面為模板，利用分子篩表面羥基的弱配位能力(親核性)和表面形貌的多樣性，選擇合適的反應(yīng)物和介質(zhì)，有望在分子篩表面上實(shí)現(xiàn)一維材料的控制合成。 制備了MCM-41、MCM-48和SBA-15三種硅基介孔分子篩，制備了有機(jī)雜化介孔分子篩和金屬離子改性介孔分子篩，并對上述分子篩進(jìn)行了XRD、氮?dú)馕?脫附、IR、SEM表征。發(fā)現(xiàn)在物系中能形成多聚酸根的釩酸鹽，在表面活性劑用量較低(CTAB/S

3、iO<,2>=0.4，molar ratio)的情況下，容易得到有序性較好的V/MCM-48分子篩。 探索了介孔分子篩在無機(jī)納米合成中的應(yīng)用。用分子篩表面為模板，以GaCl<,3>作鎵源、NaN<,3>作氮源，苯熱法(280-300℃)制備了GaN納米棒、納米管、納米環(huán)和納米晶：以GaCl<,3>作鎵源、Li<,3>N作氮源，苯熱法(260-300℃)制備了GaN納米線和納米晶。以GaCl<,3>作鎵源，在受潮分子篩表面上，苯熱

4、法(280-300℃)制備了β-Ga<,2>O<,3>納米棒，而β-Ga<,2>O<,3>通常在高溫下(600℃)才能得到。在GaCl<,3>、Na<,3>P和二甲苯反應(yīng)物系中，以分子篩表面作模板，低溫下(70℃)制備了GaP納米樹枝(GaP dendrites)。對上述納米材料進(jìn)行了XRD、TEM、HRTEM、EDS、SEM、XPS表征。 發(fā)現(xiàn)了分子篩表面羥基的配位-催化作用和分子篩表面形貌的‘助吸附’作用。這兩者共同作用，不

5、僅可以提高產(chǎn)物的產(chǎn)率、結(jié)晶度，也有助于實(shí)現(xiàn)納米材料的形貌控制合成。對上述不同材質(zhì)、不同形貌納米材料在分子篩表面的生長機(jī)理，進(jìn)行了有益的探索。提出了羥基促進(jìn)→前驅(qū)物成膜→薄膜卷曲→成棒的納米棒生長機(jī)理：提出了SLS(solution-liquid-so1id)引發(fā)的納米管頂端生長(tip-growth)和基底生長(base-growth)機(jī)理：提出了羥基定位-凹面輔助的納米環(huán)生長機(jī)理：在GaCl<,3>作鎵源、Li<,3>N作氮源合成Ga