1、電子與固體中的相互作用構(gòu)成了許多材料分析工具（掃描電子顯微學(xué)、表面電子能譜學(xué)、電子探針微分析等）的物理基礎(chǔ)（第一章）。根據(jù)固體/表面中的電子散射理論和Monte Carlo 模擬方法，基于實(shí)體結(jié)構(gòu)幾何法構(gòu)造模型，我們研究了梯形線幾何體在掃描電子顯微鏡的主要信號(hào)成像、測(cè)量線寬的性質(zhì)（第二章）?；谟邢拊切尉W(wǎng)絡(luò)法模型構(gòu)造(第一章)，我們研究了粗糙表面的電子能譜、二次電子產(chǎn)額和背散射電子產(chǎn)額（第三章）。所采用的電子在固體中的Monte C

2、arlo 散射模型是：彈性散射利用的是Mott微分截面，而非彈性散射利用的是基于實(shí)驗(yàn)光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)的介電函數(shù)近似，并且在模擬中包含了級(jí)聯(lián)二次電子的產(chǎn)生。
　　 在掃描電子顯微成像以及納米線寬測(cè)量初步研究中（第二章），我們采用了體構(gòu)造法構(gòu)建出具有一定邊墻角的梯形線幾何體，并且基于此模型，用MonteCarlo 方法模擬了光滑表面的Au 刻蝕線在不同參數(shù)（即高度、寬度、邊墻角、入射電子束寬和能量）下模擬得到的測(cè)量線寬，同時(shí)，比較了測(cè)量

3、線寬與實(shí)際線寬的關(guān)系。此工作對(duì)于CD-SEM 納米尺度的精確測(cè)量學(xué)有一定的指導(dǎo)意義。
　　 在粗糙表面相關(guān)電子譜的分析中（第三章），我們完成了對(duì)Cu、Si、Al 等的電子能譜、二次電子產(chǎn)額、背散射電子產(chǎn)額的模擬工作。通過(guò)對(duì)不同粗糙參數(shù)（粗糙半高寬3 σ，以及表面間隔a）的調(diào)整改變，我們得到了基于三角形網(wǎng)格構(gòu)建模型的各種相比于光滑表面更真實(shí)的粗糙表面，利用Monte Carlo 模擬方法計(jì)算比較了模擬得到的二次電子產(chǎn)額與實(shí)驗(yàn)的二次