低維ZnO納米材料的合成及其器件研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO納米材料在光電方面的諸多優(yōu)點,加之其制備方法多樣,在表面聲學波器件、壓敏和氣敏傳感器、太陽能電池、發(fā)光二極管等領(lǐng)域的應用潛力巨大。本論文針對ZnO納米材料中研究應用最多的兩類材料:ZnO納米顆粒、ZnO納米線,分別進行了材料合成分析,已經(jīng)器件應用研究。主要包括:
  (1)通過水熱法合成三種不同形貌ZnO納米顆粒,通過簡單制膜方法制備成了在PDMS柔性襯底上的紫外光探測器件。對器件性能進行測試和分析后,根據(jù)ZnO對紫外光響應

2、機制的研究,選取RGO作為修飾材料,對ZnO進行修飾。通過研究不同質(zhì)量比RGO與ZnO復合發(fā)現(xiàn),RGO在與ZnO復合過程中形成一定化學鍵能并能快速導走ZnO光激發(fā)形成的電荷。獲得了性能最為優(yōu)越的質(zhì)量比為0.05%RGO/ZnO復合材料紫外光探測器件。
  (2)通過兩步CVD法合成了ZnO/ZnSxSe1-x核殼結(jié)構(gòu)材料,用作光陽極材料進行了PEC測試發(fā)現(xiàn),核殼結(jié)構(gòu)對光的響應尤其是可見光響應有了極大提高。進一步利用三步CVD方法合

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