1、人們對半導體量子點的光學性質已經進行了長期的研究和探索。一個量子點系統(tǒng)并不是孤立于環(huán)境而存在的。也就是說，在考慮發(fā)生在量子點中的各種變化或者過程的同時，必須要考慮到環(huán)境的影響，本文的目的就是討論在量子點的光吸收過程中，環(huán)境（聲子熱庫）對吸收譜的影響。 目前的研究工作大多是采用數(shù)值方法模擬量子點的性質，不夠直觀，而且適用性不強。數(shù)值方法在系統(tǒng)參量值很小的情況將難以模擬，在臨界點附近甚至可能失效。為此，我們采用基于幺正變換的微擾理論

2、來研究量子點的光吸收過程，以期得到量子點光吸收譜的解析表達結果。 對于半導體量子點系統(tǒng)，在發(fā)生光吸收的過程中，價帶的電子需要吸收光子的能量才能到達導帶，同時，電子在激發(fā)躍遷的過程中，又會受到影響。所以，這個系統(tǒng)可以用一個與聲子庫耦合的兩能級系統(tǒng)模型來描述。 本文采用格林函數(shù)微擾理論，以幺正變換為基礎，通過求解海森堡運動方程的方法研究了半導體量子點的光吸收性質。首先，對所要研究的系統(tǒng)的哈密頓量 作幺正變換，將變換之后的哈密

3、頓量 可拆分成三部分：H_0′、H_1′和H_2′。作此變換后的好處是：可以使變換后的H_1′和H_2′足夠小,將H_2′視為微擾項。這樣就可以用微擾法來進行計算，而且微擾的近似程度比較好。其次，利用求解格林函數(shù)運動方程組得到平衡態(tài)關聯(lián)函數(shù)，后者與光吸收有很大的關系。最后，通過傅立葉變換推導出電導率的解析表達式，根據這個表達式我們對所描繪的光吸收譜進行了分析，得到了如下的結論：我們的結果明確地顯示了光吸收譜的圖形以及不同情況下波峰的位置

4、。光吸收的峰值位置會隨著耦合強度的增加而向低光子頻率的方向偏移，而且峰值位置并不是直接對應于量子點中的基態(tài)和最低激發(fā)態(tài)之間的能量差。 本文重點討論聲子庫耦合對半導體量子點光吸收的影響，結合聲子庫對量子點中電子能級結構的重組作用，研究在低溫和弱耦合條件下半導體量子點的吸收譜變化規(guī)律。譜密度采用的是歐姆譜分布。 本文所研究的范圍是兩個最低能級之前的電子躍遷，忽略了激發(fā)態(tài)的躍遷對吸收譜的影響。在以后的研究中，在運算能力允許的條