1、Si基應變材料(應變Si、應變SiGe)能提高載流子遷移率，已經成為高速/高性能半導體器件和集成電路的研究重點，本文主要研究應變Si/應變SiGe材料空穴遷移率。
　　 首先，分析了應變Si/應變SiGe形成機理以及張應變和壓應變對弛豫Si能帶結構的影響，研究了應變Si/應變SiGe空穴遷移率增強機理?；谛巫儎莸腒.P微擾理論，結合應變Si/應變SiGe材料的能帶結構模型，得到了應變Si/應變SiGe材料(001)、(101)

2、、(111)晶面空穴態(tài)密度有效質量及典型晶向的空穴電導有效質量等研究空穴遷移率的主要物理參數。
　　 然后，從散射機制的量子力學基礎出發(fā)，建立了應變Si/應變SiGe價帶中存在的四種散射機制模型：電離雜質散射、聲學聲子散射、非極性光學聲子散射以及應變SiGe中才存在的合金散射模型。采用平均動量時間方法，分別得到應變Si/應變SiGe(001)、(101)、(111)晶面呈現異性的空穴總散射幾率。并最終研究得到呈現高度各向異性的空