1、隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，特別是微電子技術(shù)的發(fā)展，對(duì)封裝材料的導(dǎo)熱性能提出了越來(lái)越高的要求。其中環(huán)氧樹脂作為聚合物基體被廣為關(guān)注，這是因?yàn)槠渚哂辛己玫碾娊^緣性能、化學(xué)穩(wěn)定性以及力學(xué)性能，但環(huán)氧樹脂本身的熱導(dǎo)率較低，為了保證材料還具有良好的電絕緣性能，一般在環(huán)氧樹脂中添加高導(dǎo)熱率但不導(dǎo)電的無(wú)機(jī)填料，來(lái)提高復(fù)合材料整體的導(dǎo)熱性能。本論文把Al2O3顆粒作為基體，在其表面包覆生長(zhǎng)ZnO的微觀結(jié)構(gòu)，制備ZnO@Al2O3核殼結(jié)構(gòu)，分析ZnO的微觀形貌

2、對(duì)復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的影響。利用SEM、XRD和EDS對(duì)ZnO的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，然后將制備好的ZnO@Al2O3填充到環(huán)氧樹脂中得到環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。其次利用KH-560、KH-570、KH-590三種偶聯(lián)劑處理四針狀ZnO晶須，分析不同的處理工藝對(duì)ZnO晶須和樹脂基體之間的界面結(jié)合的影響，具體的測(cè)試方法包括測(cè)定活化指數(shù)、測(cè)試潤(rùn)濕角以及傅里葉變換紅外光譜分析。實(shí)驗(yàn)的結(jié)果研究表明：
　　（1）利用水熱法制備的ZnO@Al2O3的核殼

3、結(jié)構(gòu)，在水熱溶液的pH=11，水熱反應(yīng)溫度為130℃，水熱時(shí)間為6 h，溶液中Zn2+濃度為0.125mol/L時(shí)，ZnO的包覆效果最好，并且Al2O3顆粒表面的ZnO具有棒狀的微觀形貌，利于導(dǎo)熱網(wǎng)鏈的構(gòu)建，此時(shí)在10 vol％體積分?jǐn)?shù)填充下，熱導(dǎo)率最高為0.639 W·(m·K)-1。
　?。?）利用三種偶聯(lián)劑處理四針狀ZnO晶須，在偶聯(lián)劑溶液pH=5，偶聯(lián)劑用量為1.5wt%，偶聯(lián)劑水解時(shí)間2h的情況下，偶聯(lián)劑的處理效果最好。

4、之后利用四針狀ZnO晶須以3vol%填充環(huán)氧樹脂后制備的復(fù)合材料，其熱導(dǎo)率測(cè)試結(jié)果表明KH-560處理過后的熱導(dǎo)率相對(duì)最高，為0.569W·(m·K)-1。
　　論文最后建立ZnO晶須的搭接模型，并分析ZnO晶須的不同搭接方式、搭接距離、界面層厚度對(duì)導(dǎo)熱網(wǎng)鏈構(gòu)建的影響。模擬結(jié)果表明：ZnO晶須在環(huán)氧樹脂中形成較為連貫的導(dǎo)熱網(wǎng)鏈，對(duì)提高復(fù)合材料整體的熱導(dǎo)率有極大改善，并且當(dāng)ZnO晶須表面的界面層存在，且厚度為0.75μm時(shí)，復(fù)合材料