1、電子信息技術的飛速發(fā)展使得集成電路和LED等器件的功率越來越高，對基板材料提出了高導熱性、高電絕緣性以及與芯片相匹配的熱膨脹系數等要求，選擇合適的基板，對器件的壽命和可靠性都具有重要影響。氧化鋁是目前應用最為成熟的陶瓷基板材料，原料來源豐富，價格低廉，強度、硬度、化學穩(wěn)定性和耐熱沖擊性能高，電絕緣性較好，制作和加工的技術也較為成熟，但是其導熱性能相對較差，尤其是低溫共燒技術要求陶瓷基板的燒結溫度在900℃以下，傳統(tǒng)的氧化鋁或氮化鋁低溫共

2、燒基板，由于玻璃等燒結助劑的加入，導熱率顯著降低，難以滿足大功率LED芯片封裝要求。
　　本文以廉價的氧化鋁為基礎原料，采用軟化溫度為620℃的低熔點玻璃為燒結助劑，氮化鋁晶須、銅纖維及碳纖維等一維高導熱材料為導熱增強物，采用氮氣保護下的低溫燒結工藝，在850℃燒結溫度、25MPa壓力下分別制備了Al2O3/glass/AlN、Al2O3/glass/Cu、Al2O3/glass/C復合材料，系統(tǒng)研究了導熱增強物的含量及形態(tài)對復合

3、材料致密度、導熱性能、電性能、熱膨脹性能及力學性能的影響。通過在Al2O3/glass/Cu、Al2O3/glass/C復合材料表面涂覆絕緣層保證了封裝基板對復合材料的絕緣性能要求。
　　實驗研究發(fā)現，含一維導熱增強物的復合材料其導熱性能及力學性能明顯優(yōu)于含顆粒導熱增強物的復合材料。復合材料Al2O3/30vol％glass/30vol%Cuf熱導率為38.9W/mK，為 Al2O3/30vol%glass/30vol%Cup復合

4、材料熱導率25.9W/mK的1.5倍，是Al2O3/30vol%glass的6.13倍；復合材料 Al2O3/30vol%glass/30vol%Cuf抗彎強度為263.4MPa，比Al2O3/30vol%glass/30vol%Cup復合材料抗彎強度236.7MPa高出27MPa。由于 AlN晶須原料不純的關系，復合材料 Al2O3/30vol%glass/30vol%AlNw熱導率（8.4W/mK）僅比Al2O3/30vol%gla