1、有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OLET)是一種將有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)結(jié)合在一起，利用OTFT的整流特性來(lái)驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的器件。OLET在繼承了OLED平板顯示技術(shù)中自發(fā)光特性的同時(shí)，將TFT控制單元與OLED發(fā)光單元合成為一個(gè)單元，可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化平板顯示中發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。OLET在平板顯示領(lǐng)域有著極大的發(fā)展?jié)摿?，有可能成為下一代平板顯示技術(shù)中的核心技術(shù);由于OLET中導(dǎo)電溝道的橫截面非常小，電流密度很大，使其

2、在有機(jī)電泵浦激光領(lǐng)域同樣擁有極大的發(fā)展?jié)摿Α?br>　　首先，本文從有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)優(yōu)化入手，發(fā)現(xiàn)了最優(yōu)化的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)絕緣層厚度為350-400 nm，最優(yōu)化的并五苯有機(jī)傳輸層厚度為50 nm，過(guò)薄或過(guò)厚的薄膜均會(huì)引起器件性能的降低。在溝道寬長(zhǎng)比為25的最優(yōu)化器件中，場(chǎng)效應(yīng)遷移率達(dá)到1.12 cm2/V·s。
　　其次，發(fā)現(xiàn)了在OTFT器件中引入喹啉鋁(Alq3)發(fā)光層，會(huì)極大地降低器件的電學(xué)性能。

3、為了增強(qiáng)加入發(fā)光層器件的性能，我們研究了不對(duì)稱電極的制作方法，成功制成了金/鋁(Au/Al)以及金/氟化鋰-鋁(Au/LiF-Al)不對(duì)稱電極。結(jié)果表明，不對(duì)稱電極可以極大地提高器件中的電子注入，增強(qiáng)飽和區(qū)電流和器件遷移率。具有Au/LiF-Al不對(duì)稱電極的OLET器件，在柵電壓和源漏電壓均為-40 V時(shí)，飽和區(qū)電流達(dá)到1.96×10-5A，遷移率達(dá)到0.38 cm2/V·s。
　　第三，設(shè)計(jì)了新型結(jié)構(gòu)的OLET器件，即中間隔斷結(jié)

4、構(gòu)OLET。新型結(jié)構(gòu)在不對(duì)稱電極情況下，空穴和電子注入較為平衡?？昭ㄅc電子對(duì)在Alq3層中相遇復(fù)合，發(fā)出綠色熒光。在柵壓-60V，源漏電壓-80V時(shí)，在日光燈照射的亮室中，可以用肉眼觀察到發(fā)光。
　　第四，研究了Alq3薄膜邊緣與溝道相對(duì)位置對(duì)于器件發(fā)光的影響。實(shí)驗(yàn)證明，只有Alq3薄膜的邊緣恰好位于源漏電極之間的導(dǎo)電溝道之中的時(shí)候，器件才能實(shí)現(xiàn)發(fā)光。該邊緣位于其他位置均無(wú)法實(shí)現(xiàn)復(fù)合發(fā)光。
　　最后，我們驗(yàn)證了Au/LiF-