1、隨著硅微通道陣列在生產(chǎn)生活、醫(yī)療航天等應(yīng)用領(lǐng)域的作用變得越來越重要，大家對利用成本低、方法比較簡便的電化學腐蝕技術(shù)來制備微通道結(jié)構(gòu)的關(guān)注度在明顯上升。于是，對于硅微通道電化學腐蝕過程的機理研究被更加的重視起來，而在硅微通道電化學腐蝕過程中空穴的輸運性質(zhì)正是其中比較重要的一點。
　　本文以硅相關(guān)特性為基礎(chǔ)，闡述了光照輔助電化學腐蝕硅微通道陣列載流子的輸運原理；說明了在半導(dǎo)體硅材料中存在的載流子輸運機制的模型，如雜質(zhì)散射機制和晶格振動

2、散射機制的原理；通過改變光源的位置來控制照射到硅片上的光強，通過不同光強條件下的Mott-Schottky曲線得到相對應(yīng)的平帶電位，比較得出隨著光強的降低，平帶電位為負值且其絕對值也在減小，也就意味著光生空穴的產(chǎn)生變少了；通過對不同腐蝕電壓條件下得到的硅微通道陣列的形貌進行比較與分析，根據(jù)通道形貌與空穴輸運情況的相關(guān)關(guān)系，得出過高的腐蝕電壓會導(dǎo)致輸運的空穴量超出所需，而過低的電壓又導(dǎo)致輸運的空穴量不足，因而需要選擇一個較為合適的腐蝕電壓