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![磁控濺射電源控制系統(tǒng)的研究與設(shè)計.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/6d52a487-0ebd-4408-8340-b1c6c0fdef4c/6d52a487-0ebd-4408-8340-b1c6c0fdef4c1.gif)
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文檔簡介
1、磁控濺射作為一種鍍膜工藝,以其優(yōu)越的性能,廣泛應(yīng)用于能源、材料、物質(zhì)、環(huán)境等諸多專業(yè)領(lǐng)域。由于這些領(lǐng)域中所使用的磁控濺射電源本身的問題一電源恒流特性差、易打弧等,容易造成膜層的缺陷,影響膜層的均勻性,嚴(yán)重時甚至損壞電源,已無法滿足高要求的鍍膜工藝。
本文針對上述問題,根據(jù)所掌握濺射工藝中等離子體負(fù)載特性及其等效電路模型,以一種雙極性脈沖變換拓?fù)錇橐劳?先對主電路拓?fù)溥M(jìn)行了工作原理的介紹和分析,后重點對磁控濺射電源的控制方法和打
2、弧的檢測與抑制等關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了研究與分析。為了滿足濺射工藝的需求,論文中引入了基于給定電流前饋補償?shù)碾娏魍猸h(huán)電壓內(nèi)環(huán)雙閉環(huán)復(fù)合控制策略,并采用極點配置法對所設(shè)計控制器的參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計;針對不同類型的電弧,設(shè)計了三重檢測與兩級保護(hù)相結(jié)合的打弧檢測與抑制策略;最后以高性能DSP為核心控制芯片,設(shè)計了電源的整個控制系統(tǒng),完成了磁控濺射電源的軟硬件設(shè)計。
同時在Matlab/simulink仿真中模擬了等離子體負(fù)載以及整個閉環(huán)系統(tǒng)。最
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