1、高壓功率器件是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)與核心，其具有高耐壓、導(dǎo)通電流密度大的特點(diǎn)，提高功率器件的耐壓能力是器件設(shè)計(jì)中最重要的任務(wù)之一。而結(jié)終端的設(shè)計(jì)對高壓功率器件的性能影響很大，因此，本文主要對結(jié)終端進(jìn)行研究并得出了一些相關(guān)結(jié)論，主要研究內(nèi)容和結(jié)論包括以下幾個(gè)方面：
　　1、本文介紹了結(jié)終端技術(shù)是什么，國內(nèi)外研究的現(xiàn)狀，影響器件擊穿電壓的三個(gè)因素，四種（包括場限環(huán)技術(shù)、場板技術(shù)、結(jié)終端擴(kuò)展技術(shù)、磨角終端技術(shù)）典型的結(jié)終端技術(shù)理論，最后還

2、分析了終端結(jié)構(gòu)對器件影響。
　　2、進(jìn)行了結(jié)終端的結(jié)構(gòu)比較研究和芯片的逆向模擬。首先研究了延伸型終端和截?cái)嘈徒K端，對比研究發(fā)現(xiàn)前者占用終端面積大但工藝相對簡單，后者占用終端面積更小但工藝相對復(fù)雜。其次結(jié)合項(xiàng)目需求，根據(jù)富士某芯片的SEM測試結(jié)果圖采用Sentaurus TCAD軟件逆向模擬并分析其終端結(jié)構(gòu)。SEM結(jié)果顯示該終端采用了常見的場限環(huán)加場板形式，但模擬結(jié)果表明，僅需場限環(huán)結(jié)構(gòu)就可以達(dá)到所需的耐壓。最后對公司自己研發(fā)失敗的

3、某芯片進(jìn)行逆向模擬，根據(jù)公司實(shí)驗(yàn)結(jié)果提供的數(shù)據(jù)利用軟件進(jìn)行模擬仿真，分析逆向模擬結(jié)果得出流片失敗的原因主要是推結(jié)太深，環(huán)間距設(shè)計(jì)不足。通過優(yōu)化環(huán)間距后，模擬結(jié)果達(dá)到了預(yù)期的理想值。
　　3、研究了一種新型的溝槽終端結(jié)構(gòu)，該溝槽終端帶有P-埋層且溝槽由不同的K材料填充，模擬結(jié)果表明高K材料適合填充淺寬溝槽而低K材料適合填充深窄溝槽，在淺寬溝槽或深窄溝槽中引入P-埋層都會使耐壓有所提升。
　　4、首先完成了對芯片的腐蝕，為芯片的

4、版圖觀察和后期SEM測試做好準(zhǔn)備，然后協(xié)助總結(jié)了一套失效分析的流程，最后總結(jié)本文的主要工作情況并對后續(xù)工作提出建議。
　　以上工作基本覆蓋了芯片結(jié)終端設(shè)計(jì)的全部流程。主要工作是對芯片進(jìn)行逆向模擬并提出了新型溝槽終端結(jié)構(gòu)，在下一步研究中將把逆向模擬優(yōu)化的結(jié)構(gòu)用于FS-IGBT中，與元胞實(shí)現(xiàn)良好兼容。該結(jié)終端具有普適性，不僅適合于IGBT，同樣適合于其他的半導(dǎo)體功率器件。希望本文的研究對后續(xù)的設(shè)計(jì)和制造提供依據(jù)，為以后結(jié)終端的設(shè)計(jì)提供