1、MEMS壓力傳感器是最早開展研究,進行工藝實現并達到商業(yè)化的MEMS器件,能廣泛應用于工業(yè)控制、生物醫(yī)療、環(huán)境檢測、航空航天等領域,巨大的市場需求使得硅壓力傳感器成為MEMS成功商業(yè)化的典型代表。其中壓阻式壓力傳感器加工簡單,易與CMOS工藝兼容,實現單片集成,使得它占據了壓力傳感器大部分市場。針對市場和科研的需求,本文設計并制備了一種SOI基納米硅薄膜的壓阻式壓力傳感器。
　　本文第一部分對MEMS壓力傳感器進行了概述并詳細闡述

2、了壓力傳感器的應用;第二部分結合設計的要求經過分析后選定了最終設計方案;第三部分是本文的核心章節(jié),主要對SOI基納米硅薄膜壓阻式壓力傳感器進行結構設計、理論分析和模擬驗證:主要構建了SOI埋層氧化層、SOI上層硅和AlN絕緣層多層壓力敏感薄膜結構。利用納米硅薄膜作為壓敏電阻,AlN薄膜作為絕緣層,埋層氧化層自停止腐蝕制作壓力空腔。該傳感器的制備工藝簡單,一致性、重復性好。通過ANSYS模擬分析了壓力敏感層結構參數對傳感器靈敏度的影響以及