1、碳化硅(SiC)材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)，特別適合制作高溫、高壓、大功率、耐輻照等半導(dǎo)體器件。其中4H-SiC材料以其優(yōu)異的特性引起人們的廣泛重視。然而在4H-SiC晶體生長(zhǎng)和器件制備過程中引入的大量缺陷會(huì)對(duì)4H-SiC器件的性能產(chǎn)生顯著影響。研究缺陷的基本特性有助于認(rèn)識(shí)其對(duì)器件性能的影響機(jī)理，有助于缺陷控制方法的研究，為制備高質(zhì)量4H-SiC外延材料、優(yōu)化器件性能做好理論準(zhǔn)備。
　　

2、 基于密度泛函理論的第一性原理方法研究材料電子結(jié)構(gòu)是獲得材料特性的重要手段之一，目前利用這種方法對(duì)點(diǎn)缺陷的研究較多，而位錯(cuò)比較少見。本文利用第一性原理的方法對(duì)4H-SiC刃型位錯(cuò)的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究，主要工作如下：
　　 首先，根據(jù)刃型位錯(cuò)的形成方式和晶格特征，在4H-SiC完整晶格的基礎(chǔ)上通過抽取選定原子并進(jìn)行幾何晶格重構(gòu)的方法建立了刃型位錯(cuò)的模型。其次，討論了位錯(cuò)產(chǎn)生所導(dǎo)致的晶格畸變，從而得到了4H-SiC刃型位錯(cuò)的位錯(cuò)寬度