1、功率VDMOS是功率電力電子的主流產(chǎn)品之一。它具有高輸入阻抗、高開關速度、很好的熱穩(wěn)定性以及寬安全工作區(qū)等特點，廣泛地應用于馬達驅(qū)動、開關電源、汽車電子、節(jié)能燈等各種領域。根據(jù)本課題組研究工作可知，VDMOS功率器件的研制在我國目前還屬于起步階段，對于高壓VDMOS的研究還不夠成熟。因此本課題旨在設計VDMOS功率器件模型并對其進行仿真研究。通過計算和仿真分析找出高壓VDMOS器件結構最佳化的設計，器件達到漏源擊穿電壓650V的基本要求

2、。
　　 本文介紹了VDMOS功率器件的基本結構和工作原理及VDMOS的靜態(tài)和動態(tài)兩部分的特性參數(shù)。靜態(tài)特性中關鍵的就是擊穿電壓和導通電阻的權衡問題，而動態(tài)特性主要是對寄生電容和開關特性進行分析。
　　 器件設計方面，從結構及參數(shù)出發(fā)進行設計計算，并分析了元胞基本結構，在滿足預計設計的擊穿電壓基礎上，設計了器件各部分的摻雜濃度，根據(jù)VDMOS的基本設計參數(shù)，做出網(wǎng)格分布圖及半胞結構圖，利用MEDICI軟件對器件的靜態(tài)特性