1、VDMOS(垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管)器件具有高輸入阻抗、高開關(guān)速度、寬安全工作區(qū)以及很好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、雷達(dá)、開關(guān)電源、汽車電子、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、節(jié)能燈等各種領(lǐng)域。 這篇論文介紹了VDMOS的基本結(jié)構(gòu)、導(dǎo)通機(jī)理以及VDMOS中的主要參數(shù)和特性曲線。研究VDMOS射頻特性，通過使用器件模擬軟件ISE，模擬并研究了VDMOS的電容特性，研究了VDMOS器件模型，包括分柵(SG)結(jié)構(gòu)和虛擬柵(DG)結(jié)構(gòu)。并分別對(duì)兩

2、種結(jié)構(gòu)進(jìn)行了擊穿電壓特性和電容特性的模擬。在器件大小，摻雜濃度一致的情況下，分柵結(jié)構(gòu)的擊穿電壓為60V左右，而虛擬柵結(jié)構(gòu)的擊穿電壓在85V左右，提高了近29％。在相同的漏源電壓Vds下，虛擬柵寄生電容Crss要遠(yuǎn)小于分柵，而隨著漏源電壓的增加，虛擬柵的Crss可趨近于0。虛擬柵的電容改善作用得到了證實(shí)。 在ISE平臺(tái)上模擬并研究了VDMOS的擊穿電壓特性，分析了表面電荷、襯底摻雜濃度、結(jié)深、外延層厚度對(duì)擊穿電壓的影響。并研究了提