1、近年來，AlGaN/GaN高速電子遷移率晶體管(HEMT)由于其優(yōu)異的性能，已經(jīng)引起了人們很多的關(guān)注，它具有較高的頻率特性，可以輸出較高的微波功率，因此廣泛應用于移動通訊基站、微波存取全球互通領域以及其他無線設備，如無線固定接入系統(tǒng)、本地無線環(huán)路系統(tǒng)、本地多點分布系統(tǒng)等。
　　 但與此同時，越來越高的芯片性能和集成度也帶來了一個不可回避的問題，這就是散熱。根據(jù)源自一份美國航空電子的失效分析統(tǒng)計數(shù)據(jù)，近55％的電子器件失效是和溫度

2、相關(guān)，由此可見熱控制的重要性。
　　 因此本文的主要目的就是通過利用計算機數(shù)值模擬來分析影響GaN HEMT器件散熱的主要因素。通過建立一個簡化了的多指柵器件模型，對包括GaN的厚度、柵長、柵寬、襯底的材質(zhì)和厚度等因素進行了多方面的考量，從而得到其對熱阻和溫度兩方面的影響。我們還對該模型的有效性與一些實際的測量數(shù)據(jù)進行了比較，得到了非常接近的結(jié)果。
　　 我們還對器件熱阻和溫度會隨著以上因素進行變化的原因進行了一些分析和