砷化鎵量子阱中電子自旋注入和弛豫的飛秒光譜研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩53頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、采用飛秒脈沖的飽和吸收光譜方法研究了GaAs/AlGaAs多量子阱中電子自旋的注入和弛豫特性,測得電子自旋極化弛豫時間為80ps.說明了電子自旋-軌道耦合相互作用引起局域磁場的隨機化,是導(dǎo)致電子的自旋極化弛豫的主要機制.此外我們還利用時間分辨的泵浦探測技術(shù)首次研究了常溫下電子自旋弛豫時間跟電子濃度的關(guān)系.實驗發(fā)現(xiàn)在電子濃度較低,也就是泵浦功率較低的時候,電子自旋弛豫時間隨電子濃度的增加而延長.在該實驗中泵浦功率從14mW增加到230mW

2、,電子自旋弛豫時間相應(yīng)地從62ps延長到130ps.在電子濃度較高,也就是泵浦功率較高的時候,電子自旋弛豫時間隨電子濃度的增加而縮短,在該實驗中當(dāng)泵浦功率達(dá)到333mW時,電子自旋弛豫時間也降至80ps.這一實驗結(jié)果表明DP效應(yīng)和散射都不能單獨導(dǎo)致電子自旋弛豫,它們要結(jié)合在一起導(dǎo)致自旋弛豫.在濃度較低時,DP機制占主導(dǎo)地位.電子濃度的增加會導(dǎo)致電子間碰撞散射的增強,從而使得電子動量k的隨機化增強.顯然電子濃度增加,動量弛豫時間減少,自旋

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論