1、Cu-A1_2O_3復(fù)合材料具有高的強(qiáng)度和高導(dǎo)電性及優(yōu)良的抗電弧性能，廣泛應(yīng)用于電子封裝材料、電極和電接觸材料。本文采用機(jī)械合金化法制備了不同鋁含量的亞穩(wěn)態(tài)的Cu-Al合金粉末，采用新型真空內(nèi)氧化工藝制備了不同成分的高強(qiáng)度高導(dǎo)電Cu-Al2O3復(fù)合材料。研究了Cu-Al系合金粉末發(fā)生內(nèi)氧化所需的條件，根據(jù)理論分析制定出相應(yīng)的工藝參數(shù)；分析研究了各種影響Cu-Al2O3復(fù)合材料組織與性能的因素；測(cè)試了本課題制備的Cu-Al2O3復(fù)合材料的

2、室溫性能，熱穩(wěn)定性能；優(yōu)選了適合Cu-Al2O3復(fù)合材料的電導(dǎo)模型。研究結(jié)果表明：1．當(dāng)Cu-Al混合粉末球磨時(shí)間大于96h時(shí)，Cu的(111)面的點(diǎn)陣常數(shù)變?yōu)?.3653nm，Al的衍射峰已完全消失。通過分析可知，經(jīng)過96h的球磨，Al原子已經(jīng)完全吲溶于Cu的晶格中。2．在本文實(shí)驗(yàn)條件下Cu-Al合金發(fā)生內(nèi)氧化的氣氛條件為：氧分壓應(yīng)控制在8.64×10-28pa≤PO2≤10-2pa，沒有嚴(yán)格的要求。本文采用的兩種內(nèi)氧化工藝，即氮?dú)獗?/p>